Development of defect-controlled hetero-junction contact with amorphous silicon insertion
Development of defect-controlled hetero-junction contact with amorphous silicon insertion
开发非晶硅插入的缺陷控制异质结接触
批准号：
25870466
负责人：
HANAFUSA HIROAKI
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
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Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Activation by EBSD pattern analysis
通过 EBSD 图案分析估计磷注入 4H-SiC 层的激活
通过 EBSD 图案分析估计磷注入 4H-SiC 层的激活
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hiroaki Hanafusa, Keisuke Maruyama, Shohei Hayashi, and Seiichiro Higashi]
通讯作者：
and Seiichiro Higashi
EBSD パターン明瞭度を用いたリン注入4H-SiC 層の結晶性評価
使用 EBSD 图案清晰度评估磷注入 4H-SiC 层的结晶度
使用 EBSD 图案清晰度评估磷注入 4H-SiC 层的结晶度
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[花房宏明, 丸山佳祐, 林 将平, 東清一朗]
通讯作者：
東清一朗
Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Recrystallization by Electron-Back-Scattering Diffraction Pattern Analysis
通过电子背散射衍射图分析估算磷注入 4H-SiC 层再结晶
通过电子背散射衍射图分析估算磷注入 4H-SiC 层再结晶
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.391
发表时间：
2015
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
[Hiroaki Hanafusa, Keisuke Maruyama, Shohei Hayashi, and Seiichiro Higashi]
通讯作者：
and Seiichiro Higashi
Investigation on control of SiC surface and silicide-less contact using silicon-cap-annealing
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批准号：20K05328
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2020
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负责人：HANAFUSA HIROAKI
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依托单位：
海外基金
