Semiconductor electron beam source that brings fine-area dynamics observation technology to damage sensitive samples

半导体电子束源带来精细区域动态观测技术以破坏敏感样品

• 批准号: 19H00666
• 负责人: Nishitani Tomohiro
• 金额: $ 29.04万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H00666/
• 关键词: フォトカソード; 電子ビーム; 半導体; 負電子親和力表面; パルス電子ビーム; 窒化ガリウム半導体; AlGaAs半導体; 半導体フォトカソード; 電子顕微鏡; 損傷敏感試料; 動態観測; ガリウムヒ素半導体

项目成果

高輝度パルス 電子源の開発

高强度脉冲电子源的研制

• 发表时间: 2021
• 作者: 鈴木 玲士;石川 史太郎;本田 杏奈;佐藤 大樹;小泉 淳;西谷 智博;田渕 雅夫;西谷智博
• 通讯作者: 西谷智博

半導体フォトカソードを用いた電子ビーム技術の応用開発と事業化

使用半导体光电阴极的电子束技术的应用开发和商业化

• 发表时间: 2021
• 作者: 鈴木 玲士;石川 史太郎;本田 杏奈;佐藤 大樹;小泉 淳;西谷 智博;田渕 雅夫;西谷智博;西谷智博
• 通讯作者: 西谷智博

yo-yo法を用いたNEA活性化過程の昇温脱離スペクトル測定

利用溜溜球法测量 NEA 活化过程的程序升温解吸光谱

• 发表时间: 2020
• 作者: 城生大;佐田雄飛;目黒多加志
• 通讯作者: 目黒多加志

電子ビームの技術刷新で挑む損傷敏感試料・動態・反応の微細領域観測

使用创新电子束技术对损伤敏感样品、动力学和反应进行显微观察

• 发表时间: 2019
• 作者: Daiki Sato;Tomohiro Nishitani;Yoshio Honda;and Hiroshi Amano;西谷智博;西谷智博
• 通讯作者: 西谷智博

Selective scanning electron microscope by photo electron beam from GaN semiconductor photocathode

使用来自 GaN 半导体光电阴极的光电子束进行选择性扫描电子显微镜

• 发表时间: 2021
• 作者: T. Nishitani,A. Narita;H. Iijima;A. Koizumi;D. Sato;S. Noda;Y. Arakawa;H. Shikano;Y. Honda and H. Amano;西谷智博
• 通讯作者: 西谷智博