Semiconductor electron beam source that brings fine-area dynamics observation technology to damage sensitive samples
Semiconductor electron beam source that brings fine-area dynamics observation technology to damage sensitive samples
半导体电子束源带来精细区域动态观测技术以破坏敏感样品
批准号：
19H00666
负责人：
Nishitani Tomohiro
金额：
$29.04万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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高輝度パルス 電子源の開発
高强度脉冲电子源的研制
高强度脉冲电子源的研制
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木 玲士, 石川 史太郎, 本田 杏奈, 佐藤 大樹, 小泉 淳, 西谷 智博, 田渕 雅夫, 西谷智博]
通讯作者：
西谷智博
半導体フォトカソードを用いた電子ビーム技術の応用開発と事業化
使用半导体光电阴极的电子束技术的应用开发和商业化
使用半导体光电阴极的电子束技术的应用开发和商业化
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木 玲士, 石川 史太郎, 本田 杏奈, 佐藤 大樹, 小泉 淳, 西谷 智博, 田渕 雅夫, 西谷智博, 西谷智博]
通讯作者：
西谷智博
yo-yo法を用いたNEA活性化過程の昇温脱離スペクトル測定
利用溜溜球法测量 NEA 活化过程的程序升温解吸光谱
利用溜溜球法测量 NEA 活化过程的程序升温解吸光谱
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[城生大, 佐田雄飛, 目黒多加志]
通讯作者：
目黒多加志
電子ビームの技術刷新で挑む損傷敏感試料・動態・反応の微細領域観測
使用创新电子束技术对损伤敏感样品、动力学和反应进行显微观察
使用创新电子束技术对损伤敏感样品、动力学和反应进行显微观察
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, 西谷智博, 西谷智博]
通讯作者：
西谷智博
Selective scanning electron microscope by photo electron beam from GaN semiconductor photocathode
使用来自 GaN 半导体光电阴极的光电子束进行选择性扫描电子显微镜
使用来自 GaN 半导体光电阴极的光电子束进行选择性扫描电子显微镜
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nishitani,A. Narita, H. Iijima, A. Koizumi, D. Sato, S. Noda, Y. Arakawa, H. Shikano, Y. Honda and H. Amano, 西谷智博]
通讯作者：
西谷智博
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