Development of Si-based Dirac electron superlattice and its thermoelectric devices based on phonon and electron trapsport physics
Development of Si-based Dirac electron superlattice and its thermoelectric devices based on phonon and electron trapsport physics
批准号:
19H00853
负责人:
中村 芳明
金额:
$28.7万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2024-03-31
中文摘要
高性能熱電材料として、Si系の二次元シート含有人工超格子に注目して、薄膜形成および熱電性能向上の研究を行っている。まず、令和2年度に、Si系二次元層状物質であるCaSi2の創製を行った。しかし、令和2年度に見出した成長方法で形成したCaSi2薄膜には、劣化現象が見出された。そこで、本年度は、劣化現象を防ぐ処理を開発し、これを施した試料の熱電特性を評価する計画で研究を行った。本年度、薄膜の表面に様々な保護層を形成し、その結果、アモルファスSiキャップをすることで劣化現象を大幅に抑制することができることを見出した。次に、この劣化防止処理を施すことで、可能となったCaSi2薄膜の熱電特性評価を行った。まず、通常のCaSi2薄膜と原子層制御したCaSi2薄膜の移動度と熱電特性(電気伝導率とゼーベック係数)の測定を行った。その結果、原子層制御したCaSi2において、予想以上に大きなゼーベック係数が発現することを見出した。そこで、どのような条件でより大きな出力因子を示す薄膜が形成可能であるのかを探るため、組成比制御、形状制御しながら薄膜成長を行った。その結果、原子の相互拡散による固相成長を促すことが重要な条件であることを見出した。この原因究明により、高いゼーベック係数の薄膜を再現性良く作製できることが可能となった。従来予想を超える高いゼーベック係数の発現は学術的に大きな意味を持つものであり、それが自在に形成できるようになったのは大きな研究の進展といえる。
英文摘要
高性能熱電材料として、Si系の二次元シート含有人工超格子に注目して、薄膜形成および熱電性能向上の研究を行っている。まず、令和2年度に、Si系二次元層状物質であるCaSi2の創製を行った。しかし、令和2年度に見出した成長方法で形成したCaSi2薄膜には、劣化現象が見出された。そこで、本年度は、劣化現象を防ぐ処理を開発し、これを施した試料の熱電特性を評価する計画で研究を行った。本年度、薄膜の表面に様々な保護層を形成し、その結果、アモルファスSiキャップをすることで劣化現象を大幅に抑制することができることを見出した。次に、この劣化防止処理を施すことで、可能となったCaSi2薄膜の熱電特性評価を行った。まず、通常のCaSi2薄膜と原子層制御したCaSi2薄膜の移動度と熱電特性(電気伝導率とゼーベック係数)の測定を行った。その結果、原子層制御したCaSi2において、予想以上に大きなゼーベック係数が発現することを見出した。そこで、どのような条件でより大きな出力因子を示す薄膜が形成可能であるのかを探るため、組成比制御、形状制御しながら薄膜成長を行った。その結果、原子の相互拡散による固相成長を促すことが重要な条件であることを見出した。この原因究明により、高いゼーベック係数の薄膜を再現性良く作製できることが可能となった。従来予想を超える高いゼーベック係数の発現は学術的に大きな意味を持つものであり、それが自在に形成できるようになったのは大きな研究の進展といえる。
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DOI:
10.1063/5.0038363
发表时间:
2021-03
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
[Yukihiro Komatsubara;T. Ishibe;Y. Miyato;S. Sakane;Y. Nakamura]
通讯作者:
Yukihiro Komatsubara;T. Ishibe;Y. Miyato;S. Sakane;Y. Nakamura
Nanostructural effect on thermoelectric properties in Si films containing iron silicide nanodots
纳米结构对硅化铁纳米点硅薄膜热电性能的影响
DOI:
10.7567/1347-4065/ab5b58
发表时间:
2020
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[Sakane Shunya, Ishibe Takafumi, Taniguchi Tatsuhiko, Hinakawa Takahiro, Hosoda Ryoya, Mizuta Kosei, Alam Md. Mahfuz, Sawano Kentarou, Nakamura Yoshiaki]
通讯作者:
Nakamura Yoshiaki
Si基板上エピタキシャルBaSi2薄膜における欠陥導入による低熱伝導率化
Si 衬底上的外延 BaSi2 薄膜中引入了缺陷,导致热导率降低
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[石部 貴史, 谷内 卓, 山下 雄大, 佐藤 拓磨, 末益 崇, 中村 芳明]
通讯作者:
中村 芳明
準安定相導入によるバルクCaSi2の熱電特性制御」、『第19回シリサイド系半導体・夏の学校
“通过引入亚稳态相控制块状CaSi2的热电性能”,“第19届硅化物半导体暑期学校”
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[上松 悠人, 寺田 吏, 石部 貴史, 中村 芳明]
通讯作者:
中村 芳明
バリスティック熱伝導観測に向けたアモルファスSiGe系超格子の伝熱特性評価
用于弹道传热观测的非晶硅锗超晶格传热特性评估
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[伊藤 純也, 石部 貴史, 中村 芳明]
通讯作者:
中村 芳明
共 123 条
Phonon and electron system with different dimensions formed by silicene manipulation and development of high performance thermoelectric thin film device
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批准号:23H00258
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$30.04万
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财政年份:2023
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负责人:中村 芳明
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依托单位:
超高密度ベータ鉄シリサイドナノドット積層構造の形成と光学物性測定
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批准号:17710093
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2005
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负责人:中村 芳明
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依托单位:
海外基金