フレキシブルSiナノ構造太陽電池の開発
フレキシブルSiナノ構造太陽電池の開発
批准号:
15F15358
负责人:
深田 直樹
金额:
$1.47万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-11-09 至 2018-03-31
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英文摘要
本年度は、1次元構造を有するSiナノワイヤを主体としたナノ構造太陽電池セルに関して変換効率の向上に重要な短絡電流、開放電圧、および構造因子について詳細に調べ、変換効率を向上させるためのセル構造の最適化を行なった。I-V曲線を解析することでナノ構造太陽電池セルにおけるシリーズ抵抗及びシャント抵抗の原因を明らかにした。光誘起電流をより効率的に取り込むために、従来の櫛形電極ではなく、ハニカム構造を有する微細なマイクログリッドを利用した新たな電極を開発した。以上の技術を利用して、Siナノワイヤ構造上にPEDOT:PSSポリマーを塗布し、異種ヘテロ接合によるpn接合を形成した。セル特性評価を行った結果、短絡電流34.07 mA/cm2、開放電圧0.54 V、曲線因子56.5%、変換効率10.4 %を得た。更に、0次元のSiナノ結晶(直径は3-4 nm)を利用した新たな太陽電池セルの形成も行った。Siナノ結晶を利用すると、Siナノ結晶からのエネルギー移動を利用でき、太陽電池の変換効率を増大させることができる。そこで、Siナノワイヤ上にSiナノ結晶を塗布し、引き続きPEDOT:PSSポリマーを塗布したセルを作製した。Siナノ結晶からのエネルギー移動の効果により、最大変換効率13.7%を得た。上述のSiナノ構造/ PEDOT:PSSポリマー太陽電池に加えて、遷移金属酸化物であるMoOxを利用した新しい太陽電池セルを作製し、セル評価まで行った。その結果、短絡電流34.49 mA/cm2、開放電圧0.51 V、曲線因子70.0%、変換効率12.4 %と高い性能を得た。
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High-efficiency silicon hybrid solar cells employing nanocrystalline Si quantum dots and Si nanotips foe energy management
采用纳米晶硅量子点和硅纳米尖的高效硅混合太阳能电池,用于能源管理
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Subramani Thiyagu, Junyi Chen, Wipakorn Jevasuwan, and Naoki Fukata]
通讯作者:
and Naoki Fukata
DOI:
10.1016/j.apsusc.2018.01.131
发表时间:
2018-05
期刊:
Applied Surface Science
影响因子:
6.7
作者:
[Junyi Chen;T. Subramani;Yong-Lie Sun;W. Jevasuwan;N. Fukata]
通讯作者:
Junyi Chen;T. Subramani;Yong-Lie Sun;W. Jevasuwan;N. Fukata
Si/Geコアシェルナノワイヤ中のドーピング制御
Si/Ge核壳纳米线的掺杂控制
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[西部 康太郎, Wipakorn Jevasuwan, Thiyagu Subramani, 武井 俊朗, 深田 直樹]
通讯作者:
深田 直樹
DOI:
10.7567/jjap.56.04cp01
发表时间:
2017-01
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[W. Jevasuwan;K. Pradel;T. Subramani;Junyi Chen;T. Takei;K. Nakajima;Y. Sugimoto;N. Fukata]
通讯作者:
W. Jevasuwan;K. Pradel;T. Subramani;Junyi Chen;T. Takei;K. Nakajima;Y. Sugimoto;N. Fukata
DOI:
10.7567/jjap.56.085201
发表时间:
2017-07
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[W. Jevasuwan;Junyi Chen;T. Subramani;K. Pradel;T. Takei;K. Dai;Kei Shinotsuka;Yoshihisa Hatta;N. Fukata]
通讯作者:
W. Jevasuwan;Junyi Chen;T. Subramani;K. Pradel;T. Takei;K. Dai;Kei Shinotsuka;Yoshihisa Hatta;N. Fukata
共 16 条
Development of vertical HEMT-type devices using Si-Ge core-shell heterojunction nanowires
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批准号:21H04642
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$26.29万
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财政年份:2021
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负责人:深田 直樹
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依托单位:
Development of self-powered sensors for medical application using p-ZnO nanowires and magnetic nanoparticles
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批准号:18F17358
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2018
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负责人:深田 直樹
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依托单位:
Si/Geコアシェルナノワイヤへの位置制御ドーピングによる高移動度チャネルの形成
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批准号:23360015
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2011
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负责人:深田 直樹
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依托单位:
半導体シリコンナノ細線の創製・配列・機能制御と単一ナノ物性評価
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批准号:17760003
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.73万
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财政年份:2005
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负责人:深田 直樹
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依托单位:
水素分子形成制御ドーピングによるシリコン結晶中自己修復機能発現に関する研究
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批准号:14750002
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2002
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负责人:深田 直樹
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依托单位:
海外基金