超高密度ベータ鉄シリサイドナノドット積層構造の形成と光学物性測定
超高密度β硅化铁纳米点堆叠结构的形成及光学性能测量
基本信息
- 批准号:17710093
- 负责人:
- 金额:$ 1.92万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2005
- 资助国家:日本
- 起止时间:2005 至 2006
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
β鉄シリサイドはバルクでは間接遷移型半導体であるが、Si基板上にエピタキシャル成長すると、約1.5μmのエネルギーバンドギャップをもっ直接遷移型半導体になるという報告がある。我々はβ鉄シリサイドのナノドットを形成することで発光効率の高いIV族系半導体材料を開発することを目指している。前年度、我々は、極薄Si酸化膜上にSiとFeを同時蒸着することで、5nm程度のβ鉄シリサイドナノドットを超高密度(>10^<12>cm^<-2>)に形成できることを見出した。このナノドットはSi基板との格子不整合による歪を保持し、不整合転位は存在していないことがわかった。本年度では、この手法で作製したβ鉄シリサイドナノ構造の電子状態を走査トンネル分光法を用いて調べた。その結果、ナノドットの厚みが5nmから2nmへ減少するとエネルギーバンドギャップが約0.4eV程度増大するという、β鉄シリサイドナノ構造の量子閉じ込め効果の観察に成功した。さらに、β鉄シリサイドナノ構造のSi埋め込み構造、また、GeナノドットのSi埋め込み構造を形成し、その光学特性を調べた。その結果、発光スペクトルはSiの埋め込みキャップ層の形成条件に強く依存することがわかった。また、形成したナノドットの人工配列構造を作製するためにナノドット操作技術開発を行った。この際、まず予備的実験として極薄Si酸化膜上のGeナノドットを用いて行い、走査トンネル顕微鏡の探針を用いたナノドット操作に成功した。また、ナノドットのクーロンブロッケイド効果の観察にも成功した。さらに、この形成手法を応用することによってGeSn量子ドットの形成法を開発した。我々は超高密度β鉄シリサイドナノドットの形成法、ナノ構造の量子閉じ込め効果、ナノドット操作法、クーロンブロケイド効果に関しては雑誌に掲載した。GeSn量子ドット形成法については特許出願中である。
β Fe is grown on Si substrates in an indirect transfer semiconductor, about 1.5μm in a direct transfer semiconductor. I am interested in the development of high efficiency group IV semiconductor materials for the formation of beta iron crystals. In the past year, Si and Fe were simultaneously evaporated on extremely thin Si acidified films, and the formation of ultra-high density (>10^ cm^ ) of 5nm β-<12><-2>Fe was observed. The lattice unconformity of the Si substrate is maintained, and the unconformity position is maintained. This year, the method of making β-iron particles was investigated by using optical spectroscopy. As a result, the thickness of the substrate decreases from 5nm to 2 nm, and the thickness of the substrate increases to about 0.4 eV. The quantum close effect of the β-Fe substrate structure is successfully observed. In addition, the optical properties of the Si matrix structure formed by the β-Fe matrix structure and the Ge matrix structure are adjusted. The results of the experiment show that the formation of the silicon layer depends on the temperature of the silicon layer and the temperature of the silicon layer. The artificial arrangement structure for the formation and operation of the equipment is developed. In this case, the preparation of Ge on very thin silicon oxide film was successfully carried out, and the probe of micro-mirror was successfully carried out. The results of the investigation were successful. The formation method of GeSn quantum particles was developed. We have developed methods for the formation of ultra-high density β-Fe particles, quantum structure effects, operation methods, and effects related to the formation of β-Fe particles. GeSn quantum dot formation method
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Observation of the quantum-confinement effect in individual β-FeSi_2 nanoislands epitaxial grown on Si (111) surfaces using scanning tunneling spectroscopy
使用扫描隧道光谱观察 Si(111) 表面外延生长的单个 β-FeSi_2 纳米岛的量子限制效应
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:十代 健;西 信之;Alexander Shklyaev;Alexander Shklyaev;Yoshiaki Nakamura;Yoshiaki Nakamura
- 通讯作者:Yoshiaki Nakamura
Photoluminescence of Si layers grown on oxidized Si surfaces
氧化硅表面生长硅层的光致发光
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.Shklyaev;Y.Nakamura;M.Ichikawa
- 通讯作者:M.Ichikawa
Quantum fluctuation of tunneling current in individual Ge quantum dots induced by a single-electron transfer
单电子转移引起的单个Ge量子点中隧道电流的量子涨落
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y.Nakamura;M.Ichikawa;K.Watanabe;Y.Hatsugai
- 通讯作者:Y.Hatsugai
Formation of ultrahigh density and ultrasmall coherent β-FeSi_2 nanodots on Si (111) substraets using Si and Fe codeposition method
Si和Fe共沉积法在Si(111)基底上形成超高密度超细相干β-FeSi_2纳米点
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:十代 健;西 信之;Alexander Shklyaev;Alexander Shklyaev;Yoshiaki Nakamura;Yoshiaki Nakamura;Yoshiaki Nakamura;Yoshiaki Nakamura
- 通讯作者:Yoshiaki Nakamura
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
中村 芳明其他文献
Fibration structure for Gromov h-principle
Gromov h 原理的纤维结构
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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Koji Yamazaki
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- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
M. Tao;S. Ishikawa;Y. Inomata;T. Murayama;W. Ueda;中村 芳明 - 通讯作者:
中村 芳明
エピタキシャルCaSi2薄膜中のシリセンバックリング構造変形による熱電出力因子増大
外延 CaSi2 薄膜中硅烯屈曲结构变形导致热电功率因数增加
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
寺田 吏;上松 悠人;石部 貴史;成瀬 延康;Nguyen Tien Quang;佐藤 和則;中村 芳明 - 通讯作者:
中村 芳明
PEDOT:PSS に導入した Cu2Seナノワイヤの熱電出力因子に与える影響
PEDOT:PSS中引入Cu2Se纳米线对热电功率因数的影响
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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田中 秀樹
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- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
堀田 亮輔;谷口 達彦;石部 貴史;中村 芳明 - 通讯作者:
中村 芳明
中村 芳明的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('中村 芳明', 18)}}的其他基金
Phonon and electron system with different dimensions formed by silicene manipulation and development of high performance thermoelectric thin film device
硅烯操控形成不同维度的声子和电子体系及高性能热电薄膜器件的开发
- 批准号:
23H00258 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.92万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of Si-based Dirac electron superlattice and its thermoelectric devices based on phonon and electron trapsport physics
基于声子和电子陷阱物理的硅基狄拉克电子超晶格及其热电器件的研制
- 批准号:
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- 资助金额:
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相似海外基金
傾斜構造による量子ドット内エネルギー勾配形成と電荷分離の促進
量子点内能量梯度的形成以及梯度结构促进电荷分离
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- 资助金额:
$ 1.92万 - 项目类别:
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自律低温プロセスによるSi量子ドットの高収率生成と高品質化の同時実現
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- 批准号:
24K07564 - 财政年份:2024
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导电有机量子点位置控制混合有机分子电子束抗蚀剂研究
- 批准号:
24K07575 - 财政年份:2024
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$ 1.92万 - 项目类别:
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高輝度安定型量子ドットと革新的マイクロ細胞組織による光治療薬開発と1分子動態解明
使用高强度稳定量子点和创新微细胞组织开发光疗药物并阐明单分子动力学
- 批准号:
23K21067 - 财政年份:2024
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ヘテロ界面に挿入した量子ドットによる赤外増感型光電変換の実現
利用异质界面插入量子点实现红外敏化光电转换
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
価数制御とシェル構築による高性能Sn系Pbフリーペロブスカイト量子ドットの創出
通过价态控制和壳层构建制备高性能锡基无铅钙钛矿量子点
- 批准号:
24KJ0453 - 财政年份:2024
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$ 1.92万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
表面配位子を起点とするペロブスカイト量子ドットの創発的表面保護とデバイス展開
来自表面配体的钙钛矿量子点的新兴表面保护和器件开发
- 批准号:
24KJ0450 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.92万 - 项目类别:
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23K23114 - 财政年份:2024
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