Creation and comprehensive exploration of high performance thermoelectric semiconductor utilizing natural quantum structure of layered transition metal compound
Creation and comprehensive exploration of high performance thermoelectric semiconductor utilizing natural quantum structure of layered transition metal compound
批准号:
19H02425
负责人:
Katase Takayoshi
金额:
$11.73万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(135)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI:
10.1088/1361-6641/ab51b2
发表时间:
2019-11
期刊:
Semiconductor Science and Technology
影响因子:
1.9
作者:
[T. Katase;H. Ohta]
通讯作者:
T. Katase;H. Ohta
アモルファス酸化ガリウムを用いたショットキーバリアダイオード特性と光応答
非晶氧化镓肖特基势垒二极管的特性和光响应
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[笠井 悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫]
通讯作者:
神谷利夫
Structural phase transition and opto-electronic properties of oxide semiconductor solid solution, (Ba,Sr)(Sn,Ti)O3
氧化物半导体固溶体(Ba,Sr)(Sn,Ti)O3的结构相变及光电性质
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yutaro Kobayashi, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, and Toshio Kamiya]
通讯作者:
and Toshio Kamiya
Superconductivity at 48 K in heavily hydrogen-doped SmFeAsO epitaxial thin films
重度氢掺杂 SmFeAsO 外延薄膜中 48 K 的超导性
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Jumpei Matsumoto, Kota Hanzawa, Masato Sasase, Silvia Haindl, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, and Hideo Hosono]
通讯作者:
and Hideo Hosono
Electronic structures and electronic properties of 2-dimensional layered semiconductors, AETMN2 (AE = Sr, Ba; TM = Ti, Zr, Hf)
二维层状半导体的电子结构和电子特性,AETMN2(AE = Sr、Ba;TM = Ti、Zr、Hf)
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Shigeru Kimura, Akihiro Shiraishi, Xinyi He, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, and Toshio Kamiya]
通讯作者:
and Toshio Kamiya
共 119 条
Exploration of thermal conductivity switching material with periodic nano-structure transition
-
批准号:20K21075
-
项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
-
资助金额:$4.16万
-
财政年份:2020
-
负责人:Katase Takayoshi
-
依托单位:
海外基金