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Exploration of thermal conductivity switching material with periodic nano-structure transition

Exploration of thermal conductivity switching material with periodic nano-structure transition
周期性纳米结构转变导热开关材料的探索
批准号：
20K21075
负责人：
Katase Takayoshi
金额：
$4.16万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-07-30 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K21075/
关键词：
熱伝導率構造転移第一原理計算

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Electronic structures and electronic properties of 2-dimensional layered semiconductors, AETMN2 (AE = Sr, Ba; TM = Ti, Zr, Hf)
二维层状半导体的电子结构和电子特性，AETMN2（AE = Sr、Ba；TM = Ti、Zr、Hf）
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Shigeru Kimura, Akihiro Shiraishi, Xinyi He, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, and Toshio Kamiya]
通讯作者： and Toshio Kamiya
熱伝導率可変材料、およびそのような材料を含む膜
可变导热率材料和包含此类材料的膜
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
準安定(Pb1-xSnx)Se薄膜の2次元-3次元構造転移と巨大電子物性変調
亚稳态(Pb1-xSnx)Se薄膜的2D-3D结构转变和巨电子性质调制
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [高橋 雄大，片瀬 貴義, ホ シンイ，只野 央将，井手 啓介，吉田 秀人，河智 史朗，山浦 淳一，笹瀬 雅人, 平松 秀典，細野 秀雄，神谷 利夫]
通讯作者： 平松 秀典，細野 秀雄，神谷 利夫
Fabrication of Zn3N2 electric double layer transistor by ionic liquid gating
离子液体门控制备Zn3N2双电层晶体管
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Kaiwen Li, Kota Hanzawa, Keisuke Ide, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Qun Zhang, Toshio Kamiya]
通讯作者： Toshio Kamiya
共 42 条
    Creation and comprehensive exploration of high performance thermoelectric semiconductor utilizing natural quantum structure of layered transition metal compound
    • 批准号：
      19H02425
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.73万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Katase Takayoshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金