Edge engineering of atomic-layer semiconductors
Edge engineering of atomic-layer semiconductors
原子层半导体的边缘工程
批准号：
19H02561
负责人：
Nouchi Ryo
金额：
$11.48万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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多層MoS2電界効果トランジスタで観測される階段状の伝達特性
在多层 MoS2 场效应晶体管中观察到的阶梯状传输特性
在多层 MoS2 场效应晶体管中观察到的阶梯状传输特性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大岡拓也, 野内亮]
通讯作者：
野内亮
DOI：
10.7567/1882-0786/ab5e0b
发表时间：
2019-12
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[R. Nouchi;Kei-ichiro Ikeda]
通讯作者：
R. Nouchi;Kei-ichiro Ikeda
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yoshiaki Ishihara, Wataru Sugimoto, Ryo Nouchi, Ryo Nouchi]
通讯作者：
Ryo Nouchi
DOI：
10.1088/2632-959x/ab9024
发表时间：
2020-05
期刊：
Nano Express
影响因子：
3
作者：
[Masaya Sato;M. Hara;Asami Funatsu;R. Nouchi]
通讯作者：
Masaya Sato;M. Hara;Asami Funatsu;R. Nouchi
ケルビンプローブによるグラフェン上水吸着のカイネティクス測定と基板表面修飾の効果
使用开尔文探针测量石墨烯上水的吸附动力学以及基材表面改性的影响
使用开尔文探针测量石墨烯上水的吸附动力学以及基材表面改性的影响
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[廣瀬巧武, 野内亮]
通讯作者：
野内亮
共 31 条
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