课题基金 / 基金详情

Proposal of high-performance materials for artificial synapses via atomic-scale observations of resistive switching oxides

Proposal of high-performance materials for artificial synapses via atomic-scale observations of resistive switching oxides
通过电阻开关氧化物的原子尺度观察提出用于人工突触的高性能材料
批准号：
19K04484
负责人：
Fukuchi Atsushi
金额：
$2.83万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04484/
关键词：
メモリスタアモルファス酸化物抵抗スイッチング走査型プローブ顕微鏡法人工シナプス非線形伝導現象ニューロモルフィックデバイスプローブ顕微鏡抵抗変化型メモリ酸化タンタル酸化物薄膜シナプス素子金属酸化物薄膜抵抗変化メモリ

项目摘要

项目成果

Fukuchi Atsushi的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(77)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Cu系抵抗変化メモリへの電圧印加に伴うCuの移動
由于对 Cu 基电阻变化存储器施加电压而导致的 Cu 迁移
DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
影响因子： --
作者： [中島 励, 久保 玲央, 福地 厚, 有田 正志]
通讯作者： 有田 正志
Non-Uniform Gate-Capacitance Distribution in Fe Nanodot Array Based Double-Gate Single-Electron Devices Due to Geometrical Structure of the Dots
基于铁纳米点阵列的双栅单电子器件中由于点的几何结构导致的不均匀栅极电容分布
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Takayuki Gyakushi, Yuki Asai, Beommo Byun, Ikuma Amano, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi]
通讯作者： Yasuo Takahashi
デジタル型/アナログ型抵抗変化特性を示すCBRAMのその場構造解析
CBRAM 的原位结构分析显示数字/模拟电阻变化特性
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [武藤 恵, 中島 励, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫]
通讯作者： 高橋 庸夫
SiO2上のFeナノドットアレイの電気伝導特性の表面依存
Fe 纳米点阵列电导率对 SiO2 的表面依赖性
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [天野 郁馬, 瘧師 貴幸, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫]
通讯作者： 高橋 庸夫
共 72 条
    Development of purely-electronic resistive switching devices based on field-induced Mott transition
    • 批准号：
      16K18073
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.16万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Fukuchi Atsushi
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金