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Proposal of high-performance materials for artificial synapses via atomic-scale observations of resistive switching oxides
通过电阻开关氧化物的原子尺度观察提出用于人工突触的高性能材料
基本信息
- 批准号：19K04484
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（77）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
二層型MoOx/Al2O3 CBRAM中のCu移動のTEMその場観察
双层MoOx/Al2O3 CBRAM中Cu迁移的原位TEM观察
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：有田 正志;石川 竜介;福地 厚;高橋 庸夫
- 通讯作者：高橋 庸夫
Feナノドットアレイの電気伝導特性の下地層依存
Fe 纳米点阵列电导率特性的底层依赖性
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：天野 郁馬;瘧師 貴幸;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫
- 通讯作者：高橋 庸夫
ゲート電圧とSetパルス電圧により制御したMOSFET付TaOx系ReRAMのアナログ動作
基于 TaOx 的 ReRAM 的模拟操作，MOSFET 受栅极电压和设置脉冲电压控制
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：木村 大志;李 遠霖;福地 厚;有田 正志;遠藤 和彦;森江 隆;高橋 庸夫
- 通讯作者：高橋 庸夫
SiO2上のFeナノドットアレイの電気伝導特性の表面依存
Fe 纳米点阵列电导率对 SiO2 的表面依赖性
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：天野 郁馬;瘧師 貴幸;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫
- 通讯作者：高橋 庸夫
Systematic Control of Current Transport in Metal/Oxide Schottky Junctions Using Highly Uniform Layers of TaOx
使用高度均匀的 TaOx 层系统控制金属/氧化物肖特基结中的电流传输
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Atsushi FUKUCHI;Yusuke TSUTA;Masashi ARITA;and Yasuo TAKAHASHI
- 通讯作者：and Yasuo TAKAHASHI
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基于场感莫特跃迁的纯电子阻变器件的研制
- 批准号：
16K18073 - 财政年份：2016
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$ 2.83万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
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15J07889 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号：
23760634 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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表现出多重强有序性的非晶氧化物的产生
- 批准号：
10J01280 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
遷移金属イオンを含有したアモルファス酸化物薄膜における磁性ナノクラスターの光制御
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- 批准号：
15656158 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research