Proposal of high-performance materials for artificial synapses via atomic-scale observations of resistive switching oxides
Proposal of high-performance materials for artificial synapses via atomic-scale observations of resistive switching oxides
通过电阻开关氧化物的原子尺度观察提出用于人工突触的高性能材料
批准号：
19K04484
负责人：
Fukuchi Atsushi
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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二層型MoOx/Al2O3 CBRAM中のCu移動のTEMその場観察
双层MoOx/Al2O3 CBRAM中Cu迁移的原位TEM观察
双层MoOx/Al2O3 CBRAM中Cu迁移的原位TEM观察
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[有田 正志, 石川 竜介, 福地 厚, 高橋 庸夫]
通讯作者：
高橋 庸夫
Feナノドットアレイの電気伝導特性の下地層依存
Fe 纳米点阵列电导率特性的底层依赖性
Fe 纳米点阵列电导率特性的底层依赖性
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[天野 郁馬, 瘧師 貴幸, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫]
通讯作者：
高橋 庸夫
ゲート電圧とSetパルス電圧により制御したMOSFET付TaOx系ReRAMのアナログ動作
基于 TaOx 的 ReRAM 的模拟操作，MOSFET 受栅极电压和设置脉冲电压控制
基于 TaOx 的 ReRAM 的模拟操作，MOSFET 受栅极电压和设置脉冲电压控制
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[木村 大志, 李 遠霖, 福地 厚, 有田 正志, 遠藤 和彦, 森江 隆, 高橋 庸夫]
通讯作者：
高橋 庸夫
SiO2上のFeナノドットアレイの電気伝導特性の表面依存
Fe 纳米点阵列电导率对 SiO2 的表面依赖性
Fe 纳米点阵列电导率对 SiO2 的表面依赖性
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[天野 郁馬, 瘧師 貴幸, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫]
通讯作者：
高橋 庸夫
Systematic Control of Current Transport in Metal/Oxide Schottky Junctions Using Highly Uniform Layers of TaOx
使用高度均匀的 TaOx 层系统控制金属/氧化物肖特基结中的电流传输
使用高度均匀的 TaOx 层系统控制金属/氧化物肖特基结中的电流传输
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Atsushi FUKUCHI, Yusuke TSUTA, Masashi ARITA, and Yasuo TAKAHASHI]
通讯作者：
and Yasuo TAKAHASHI
共 72 条
Development of purely-electronic resistive switching devices based on field-induced Mott transition
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批准号：16K18073
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.16万
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财政年份：2016
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负责人：Fukuchi Atsushi
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依托单位：
海外基金