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Development of purely-electronic resistive switching devices based on field-induced Mott transition

Development of purely-electronic resistive switching devices based on field-induced Mott transition
基于场感莫特跃迁的纯电子阻变器件的研制
批准号：
16K18073
负责人：
Fukuchi Atsushi
金额：
$2.16万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K18073/
关键词：
酸化物エレクトロニクス金属絶縁体転移抵抗変化メモリエピタキシャル成長強相関電子系エピタキシャル薄膜固相エピタキシャル成長法抵抗変化型メモリルテニウム酸化物モット転移酸化物薄膜強相関電子材料強相関エレクトロニクス電子・電気材料先端機能デバイスナノ材料マイクロ・ナノデバイス

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DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 高橋 庸夫
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发表时间： 2018
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作者： [瘧師 貴幸, 浅井 佑基, 福地 厚, 有田 正志, 高橋 庸夫]
通讯作者： 高橋 庸夫
共 61 条
    Proposal of high-performance materials for artificial synapses via atomic-scale observations of resistive switching oxides
    • 批准号：
      19K04484
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Fukuchi Atsushi
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金