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Development of purely-electronic resistive switching devices based on field-induced Mott transition
基于场感莫特跃迁的纯电子阻变器件的研制
基本信息
- 批准号：16K18073
- 负责人：
- 金额：$ 2.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（64）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ダブルゲートFe-MgF2単電子トランジスタの作製と評価
双栅Fe-MgF2单电子晶体管的制作与评估
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：瘧師 貴幸;浅井 佑基;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫
- 通讯作者：高橋 庸夫
Electrical Characteristics of Single-Electron Transistor Made of Fe-MgF2 Single-Layer Granular Thin Films
Fe-MgF2单层颗粒薄膜单电子晶体管的电学特性
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Asai Yuki;Honjo Shusaku ;Gyakushi Takayuki;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Takahashi Yasuo
- 通讯作者：Takahashi Yasuo
Investigation of resistive switching memory effect in a-TaOx films with atomically flat surface
原子级平坦表面 a-TaOx 薄膜中阻变记忆效应的研究
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Tsurumaki-Fukuchi;M. Arita;T. Katase;H. Ohta;Y. Takahashi
- 通讯作者：Y. Takahashi
単層FeMgF2グラニュー単電子トンジスタにおける等周期クーロン振動の解析
单层 FeMgF2 粒状单电子晶体管等周期库仑振荡分析
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：瘧師 貴幸;浅井 佑基;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫
- 通讯作者：高橋 庸夫
Enhanced defect formation at metal/oxide interfaces and its application to resistive memory devices
金属/氧化物界面处增强的缺陷形成及其在阻变存储器件中的应用
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Tsurumaki-Fukuchi;M. Arita;and Y. Takahashi
- 通讯作者：and Y. Takahashi
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{{ truncateString('Fukuchi Atsushi', 18)}}的其他基金
Proposal of high-performance materials for artificial synapses via atomic-scale observations of resistive switching oxides
通过电阻开关氧化物的原子尺度观察提出用于人工突触的高性能材料
- 批准号：
19K04484 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
金属絶縁体転移による高温超伝導コイルの革新的保護手法開発
开发利用金属-绝缘体转变的高温超导线圈的创新保护方法
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- 资助金额：
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酸化チタン薄膜における金属絶縁体転移の機構解明と新規デバイス応用に向けた機能開拓
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- 资助金额：
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
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RNiO3の水素化による金属絶縁体転移の機構解明と高濃度水素化による新奇物性探索
RNiO3加氢阐明金属-绝缘体转变机理及高浓度加氢探索新物理性质
- 批准号：
22K14600 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
電気二重層トランジスタ動作下の軟X線吸収分光による酸化物金属絶縁体転移機構の解明
通过软 X 射线吸收光谱阐明双电层晶体管操作下的氧化物-金属-绝缘体转变机制
- 批准号：
21K14541 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
パイロクロア型イリジウム酸化物における金属絶縁体転移とトポロジカル量子相の研究
烧绿石型氧化铱中金属-绝缘体转变和拓扑量子相的研究
- 批准号：
17J09173 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
金属絶縁体転移及び磁性体薄膜を用いたカシミール力の制御と斥力化に関する研究
利用金属-绝缘体转变和磁性薄膜控制和排斥卡西米尔力的研究
- 批准号：
17J00380 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
酸化物薄膜における金属・絶縁体転移のサイズ効果
氧化物薄膜中金属-绝缘体转变的尺寸效应
- 批准号：
15F15363 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ルテニウムパイロクロアの金属絶縁体転移機構、理想界面による電極反応機構の解明
利用理想界面阐明钌烧绿石的金属-绝缘体转变机理和电极反应机理
- 批准号：
08J04684 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows