Study on the origin and function of high-energy emission around dislocations in III-nitride quantum well structures by nanoscopic spectroscopy

纳米光谱研究III族氮化物量子阱结构位错周围高能发射的起源和作用

• 批准号: 19K04490
• 负责人: Kurai Satoshi
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Yamaguchi University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04490/
• 关键词: 窒化インジウムガリウム; 窒化アルミニウムガリウム; 量子井戸構造; 転位; ポテンシャル障壁; 空間分解分光; カソードルミネッセンスマッピング法; 近接場光学顕微分光法; III族窒化物混晶半導体; 内部量子効率; オフ角制御; オフ角; 顕微分光; GaInN; 貫通転位

项目成果

低転位AlNテンプレート上に成長したAlGaN量子井戸構造における貫通転位近傍の発光強度プロファイル

在低位错 AlN 模板上生长的 AlGaN 量子阱结构中螺纹位错附近的发射强度分布

• 发表时间: 2022
• 作者: 大西悠太;藤井恵;押村遼太;稲井滉介;倉井聡;岡田成仁;上杉謙次郎;三宅秀人;山田陽一
• 通讯作者: 山田陽一

アニール処理されたスパッタAlN テンプレート上AlGaN多重量子井戸における内部量子効率のc 面サファイアm軸オフ角依存性

退火溅射 AlN 模板上 AlGaN 多量子阱中内量子效率的 C 面蓝宝石 m 轴偏角依赖性

• 发表时间: 2020
• 作者: 押村遼太;赤松勇紀;藤井厚志;倉井聡;室谷英彰;上杉謙次郎;三宅秀人;山田陽一
• 通讯作者: 山田陽一

オフ角が異なるスパッタ成膜AlNテンプレート上に成長したAlGaN量子井戸構造の空間分解分光

在具有不同偏角的溅射沉积 AlN 模板上生长的 AlGaN 量子阱结构的空间分辨光谱

• 发表时间: 2021
• 作者: 藤井恵;大西悠太;中谷文哉;倉井聡;岡田成仁;上杉謙次郎;三宅秀人;山田陽一
• 通讯作者: 山田陽一

高温アニールした微傾斜サファイア基板上スパッタ成膜AlNテンプレートに成長されたAlGaN多重量子井戸内部量子効率評価

高温退火微倾斜蓝宝石衬底上溅射沉积 AlN 模板上生长的 AlGaN 多量子阱的内量子效率评估

• 发表时间: 2020
• 作者: 押村遼太;藤井厚志;中谷文哉;倉井聡;室谷英彰;上杉謙次郎;三宅秀人,山田陽一
• 通讯作者: 三宅秀人,山田陽一

AlGaN系量子井戸構造における局所的高エネルギー発光の構造パラメータ依存性

AlGaN基量子阱结构中局域高能发射的结构参数依赖性

• 发表时间: 2019
• 作者: 中谷文哉;Li Jin;平山舜;倉井聡;三宅秀人;山田陽一
• 通讯作者: 山田陽一