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Quantitative analysis of potential barrier in GaInN ternary alloy semiconductor by microscopic spectroscopy and the mechanisms for high quantum efficiency

Quantitative analysis of potential barrier in GaInN ternary alloy semiconductor by microscopic spectroscopy and the mechanisms for high quantum efficiency
显微光谱定量分析GaInN三元合金半导体势垒及高量子效率机制
批准号：
16K06264
负责人：
Kurai Satoshi
金额：
$3.0万
依托单位：
Yamaguchi University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06264/
关键词：
顕微分光InGaN量子井戸構造ポテンシャル障壁貫通転位空間分解分光窒化インジウムガリウム近接場光学顕微分光GaInN

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中温GaN 層上InGaN 多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価
中温GaN层InGaN多量子阱结构V坑附近势垒的显微光谱评估
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [倉井聡, 大川康平,槇尾凌我, 高俊吉, 野畑元喜, 岡田成仁, 只友一行, 山田陽一]
通讯作者： 山田陽一
カソードルミネッセンス法によるAlGaN多重量子井戸構造の転位近傍の局所発光
使用阴极发光方法在 AlGaN 多量子阱结构中位错附近局部发光
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [倉井聡, 井村暢杜, Li Jin, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一]
通讯作者： 山田陽一
中温GaN 層上InGaN 多重量子井戸構造における V ピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価(2)
中温 GaN 层上 InGaN 多量子阱结构中 V 坑附近势垒的显微光谱评估 (2)
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [倉井聡, 大川康平, 槇尾凌我, 高俊吉, 林直矢, 岡田成仁, 只友一行, 山田陽一]
通讯作者： 山田陽一
カソードルミネッセンスマッピング法によるAlGaN量子井戸構造の局所発光評価
使用阴极发光映射方法评估 AlGaN 量子阱结构的局部发光
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [LI JIN, 井村暢杜, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一]
通讯作者： 山田陽一
共 19 条
    Study on the origin and function of high-energy emission around dislocations in III-nitride quantum well structures by nanoscopic spectroscopy
    • 批准号：
      19K04490
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Kurai Satoshi
    • 依托单位：
      Yamaguchi University
    Study on emission mechanism of inhomogeneous III-nitride mixed crystal semiconductors from the point of view of spatial resolved spectroscopy
    • 批准号：
      25420288
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.16万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Kurai Satoshi
    • 依托单位：
      Yamaguchi University
    国内基金
    海外基金
    基于纳米柱的InGaN单量子点构建及超低 功耗光电突触器件
    基于InGaN/GaN异质结极化势垒的高灵敏高速紫外-可见光探测及双色分辨研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      15.0万元
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      吕泽升
    • 依托单位：
      中山大学
    外差式InGaN量子阱梁光机电一体化微腔加速度计传感机理 研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
    • 依托单位：
      南京邮电大学
    AlGaN/InGaN基 LED 发光材料物性研究及优化设计
    • 批准号：
      2024JJ7377
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      张顺如
    • 依托单位：
      怀化学院