Study on emission mechanism of inhomogeneous III-nitride mixed crystal semiconductors from the point of view of spatial resolved spectroscopy

从空间分辨光谱角度研究非均匀III族氮化物混晶半导体的发射机理

• 批准号: 25420288
• 负责人: Kurai Satoshi
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Yamaguchi University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25420288/
• 关键词: AlGaN; GaInN; 混晶半導体; カソードルミネッセンス; 顕微分光; 量子井戸構造; AｌGaN; InGaN; 量子井戸; 窒化アルミニウムガリウム; ドーピング

项目成果

Si濃度の異なるAl0.61Ga0.39N混晶薄膜のカソードルミネッセンス法による局所スペクトル評価

阴极发光法对不同Si浓度的Al0.61Ga0.39N混晶薄膜的局部光谱评价

• 发表时间: 2014
• 作者: 倉井聡;三宅秀人;平松和政;山田陽一
• 通讯作者: 山田陽一

青色および緑色発光InGaN量子井戸構造の近接場発光分布

蓝光和绿光发射 InGaN 量子阱结构的近场发射分布

• 发表时间: 2013
• 作者: 細川大介;信田真孝;倉井聡;岡田成仁;只友一行;山田陽一
• 通讯作者: 山田陽一

InGaN薄膜の分光CLマッピング像の温度依存性評価 (2)

InGaN 薄膜的光谱 CL 映射图像的温度依赖性评估 (2)

• 发表时间: 2016
• 作者: 倉井 聡;黒飛 雄樹;山田 陽一
• 通讯作者: 山田 陽一

CL measurement of AlGaN grown on the off-oriented AlN substrate

偏向 AlN 衬底上生长的 AlGaN 的 CL 测量

• 发表时间: 2014
• 作者: Mitsuaki Suda;Katsushi Nishino;Satoshi Kurai;Yoichi Yamada
• 通讯作者: Yoichi Yamada

Si concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped AlxGa1-xN/AlyGa1-yN multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency

Si掺杂AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱结构(x=0.6)中结构不均匀性的Si浓度依赖性及其与内量子效率的关系

• DOI: 10.1063/1.4904847
• 发表时间: 2014
• 期刊: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: S.Kurai;K.Anai;H.Miyake;K.Hiramatsu;Y.Yamada
• 通讯作者: Y.Yamada