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Study on emission mechanism of inhomogeneous III-nitride mixed crystal semiconductors from the point of view of spatial resolved spectroscopy

Study on emission mechanism of inhomogeneous III-nitride mixed crystal semiconductors from the point of view of spatial resolved spectroscopy
从空间分辨光谱角度研究非均匀III族氮化物混晶半导体的发射机理
批准号:
25420288
负责人:
Kurai Satoshi
金额:
$3.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31

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通讯作者: 山田陽一
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发表时间: 2013
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作者: [Mitsuaki Suda, Katsushi Nishino, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada]
通讯作者: Yoichi Yamada
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    • 批准号:
      19K04490
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.83万
    • 财政年份:
      2019
    • 负责人:
      Kurai Satoshi
    • 依托单位:
    Quantitative analysis of potential barrier in GaInN ternary alloy semiconductor by microscopic spectroscopy and the mechanisms for high quantum efficiency
    • 批准号:
      16K06264
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $3.0万
    • 财政年份:
      2016
    • 负责人:
      Kurai Satoshi
    • 依托单位:
    海外基金