Study on emission mechanism of inhomogeneous III-nitride mixed crystal semiconductors from the point of view of spatial resolved spectroscopy
Study on emission mechanism of inhomogeneous III-nitride mixed crystal semiconductors from the point of view of spatial resolved spectroscopy
批准号:
25420288
负责人:
Kurai Satoshi
金额:
$3.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31
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Si濃度の異なるAl0.61Ga0.39N混晶薄膜のカソードルミネッセンス法による局所スペクトル評価
阴极发光法对不同Si浓度的Al0.61Ga0.39N混晶薄膜的局部光谱评价
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一]
通讯作者:
山田陽一
青色および緑色発光InGaN量子井戸構造の近接場発光分布
蓝光和绿光发射 InGaN 量子阱结构的近场发射分布
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[細川大介, 信田真孝, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 山田陽一]
通讯作者:
山田陽一
InGaN薄膜の分光CLマッピング像の温度依存性評価 (2)
InGaN 薄膜的光谱 CL 映射图像的温度依赖性评估 (2)
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[倉井 聡, 黒飛 雄樹, 山田 陽一]
通讯作者:
山田 陽一
CL measurement of AlGaN grown on the off-oriented AlN substrate
偏向 AlN 衬底上生长的 AlGaN 的 CL 测量
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Mitsuaki Suda, Katsushi Nishino, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada]
通讯作者:
Yoichi Yamada
Si concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped AlxGa1-xN/AlyGa1-yN multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency
Si掺杂AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱结构(x=0.6)中结构不均匀性的Si浓度依赖性及其与内量子效率的关系
DOI:
10.1063/1.4904847
发表时间:
2014
期刊:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子:
3.2
作者:
[S.Kurai, K.Anai, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Yamada]
通讯作者:
Y.Yamada
共 16 条
Study on the origin and function of high-energy emission around dislocations in III-nitride quantum well structures by nanoscopic spectroscopy
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批准号:19K04490
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.83万
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财政年份:2019
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负责人:Kurai Satoshi
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依托单位:
Quantitative analysis of potential barrier in GaInN ternary alloy semiconductor by microscopic spectroscopy and the mechanisms for high quantum efficiency
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批准号:16K06264
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2016
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负责人:Kurai Satoshi
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依托单位:
海外基金