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Investigation and controlling of a quasi-dopant effect at a ferroelectric charged surface and interface

Investigation and controlling of a quasi-dopant effect at a ferroelectric charged surface and interface
铁电带电表面和界面的准掺杂效应的研究和控制
批准号：
19K04495
负责人：
Nakashima Seiji
金额：
$2.83万
依托单位：
University of Hyogo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04495/
关键词：
強誘電体半導体物性擬似ドーパント帯電ドメイン壁バンド構造擬似ドーパント効果エネルギーバンド変調グラフェンBiFeO3ビスマスフェライト薄膜転写バンド変調金属/強誘電体界面帯電ドメインウォール

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Introduction of charged domain walls into BiFeO3 thin films using a pit-patterned SrTiO3 (001) substrate
使用凹坑图案 SrTiO3 (001) 基板将带电畴壁引入 BiFeO3 薄膜
DOI： 10.7567/1347-4065/ab3897
发表时间： 2019
期刊： Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子： --
作者： [S. Nakashima, S. Kimura, Y. Kurokawa, H. Fujisawa, and M. Shimizu]
通讯作者： and M. Shimizu
強誘電体BiFeO3薄膜へのMnドープが局所構造および電子状態へ与える影響
Mn掺杂对铁电BiFeO3薄膜局域结构和电子态的影响
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [加藤 廉, 中嶋 誠二, 藤沢 浩訓, 木村 耕治, 八方 直久, アン アルトニケビンロケロ, 加藤 達也, 山本 裕太, 林 好一, 中嶋誠二]
通讯作者： 中嶋誠二
Evidence of Fermi level tuning in multiferroic BiFeO3 thin films by Mn doping for high photovoltage generation
通过 Mn 掺杂调节多铁性 BiFeO3 薄膜的费米能级以产生高光电压的证据
DOI： --
发表时间： 2021
期刊： SPring-8 /SACLA Research Frontiers 2020
影响因子： --
作者： [Junta Igarashi, Kyota Watanabe, Butsurin Jinnai, Shunsuke Fukami, and Hideo Ohno, S. Nakashima and H. Fujisawa]
通讯作者： S. Nakashima and H. Fujisawa
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BiFeO3 薄膜中膜厚方向的体光伏效应
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [加藤 廉, 中嶋 誠二, 藤沢 浩訓, 木村 耕治, 八方 直久, アン アルトニケビンロケロ, 加藤 達也, 山本 裕太, 林 好一, 中嶋誠二, 中嶋誠二，加藤 廉，藤沢浩訓]
通讯作者： 中嶋誠二，加藤 廉，藤沢浩訓
共 38 条
    Enhancement of an anomalous photovoltaic effect in ferroelectric thin films for an optical actuator application
    • 批准号：
      16K06272
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.08万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Nakashima Seiji
    • 依托单位：
      University of Hyogo
    Artificial induction of domain walls in ferroelectric thin films and controlling of their electronic properties
    • 批准号：
      26820115
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Nakashima Seiji
    • 依托单位：
      University of Hyogo
    海外基金