Artificial induction of domain walls in ferroelectric thin films and controlling of their electronic properties

铁电薄膜中磁畴壁的人工诱导及其电子特性的控制

基本信息

  • 批准号:
    26820115
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
遷移金属元素をドープした単一ドメインBiFeO3薄膜の異常光起電力効果
过渡金属元素掺杂单畴BiFeO3薄膜的反常光伏效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高山 幸太;中嶋 誠二;藤沢 浩訓;清水 勝
  • 通讯作者:
    清水 勝
SNDMを用いたBiFeO3薄膜のドメイヌォール幅の評価
使用 SNDM 评估 BiFeO3 薄膜的畴壁宽度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤沢 浩訓;瀬戸 翔太;中嶋 誠二;清水 勝
  • 通讯作者:
    清水 勝
遷移金属元素をドープした単一ドメインBiFeO3薄膜の異常光起電力効果(Ⅱ)
过渡金属元素掺杂单畴BiFeO3薄膜的反常光伏效应(二)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高山 幸太;中嶋 誠二;藤沢 浩訓;清水 勝
  • 通讯作者:
    清水 勝
Electrical Properties of Mn- and Zn-doped Single-domain BiFeO3 Thin Films
Mn 和 Zn 掺杂单畴 BiFeO3 薄膜的电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Koji Shigematsu;Seiji Nakashima;Hironori Fujisawa;and Masaru Shimizu
  • 通讯作者:
    and Masaru Shimizu
電場印加下のエピタキシャルBiFeO3薄膜における格子歪のその場観察
外加电场下外延 BiFeO3 薄膜晶格应变的原位观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中嶋誠二;坂田修身;舟窪浩;高山幸太;藤沢浩訓;清水荘雄;一ノ瀬大地;今井康彦;清水勝
  • 通讯作者:
    清水勝
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  • 通讯作者:
    Shimizu Masaru
Effect of continuous dental visits on oral health maintenance
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
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  • 影响因子:
    0
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    Shimazaki Yoshihiro;Sasaki Akihiro;Hayashi Ryosuke;Mori;Yasushi;Nakashima Seiji;Machino Atsushi;Abe Yoshikazu
  • 通讯作者:
    Abe Yoshikazu
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  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Nakashima Seiji;Sakata Osami;Funakubo Hiroshi;Shimizu Takao;Ichinose Daichi;Takayama Kota;Imai Yasuhiko;Fujisawa Hironori;Shimizu Masaru
  • 通讯作者:
    Shimizu Masaru

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知道了