Development of diamond electronic devices using AlN/diamond heterojunction

利用AlN/金刚石异质结开发金刚石电子器件

基本信息

  • 批准号:
    19K04501
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(20)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Challenge to development of III-nitride Nanolaminates/Diamond Heterojunction devices.
III 族氮化物纳米层压材料/金刚石异质结器件的开发面临的挑战。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小出 康夫;井村 将隆;劉 江偉;廖 梅勇.
  • 通讯作者:
    廖 梅勇.
Integrated TbDyFe Film on a Single‐Crystal Diamond Microelectromechanical Resonator for Magnetic Sensing
  • DOI:
    10.1002/pssr.202100352
  • 发表时间:
    2021-07
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Xiulin Shen;Huanying Sun;L. Sang;M. Imura;Y. Koide;S. Koizumi;M. Liao
  • 通讯作者:
    Xiulin Shen;Huanying Sun;L. Sang;M. Imura;Y. Koide;S. Koizumi;M. Liao
Improvement of structural quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy using post-growth annealing with trimethylgallium
使用三甲基镓生长后退火通过金属有机气相外延提高 c 面蓝宝石衬底上生长的 AlN 层的结构质量
  • DOI:
    10.1063/5.0076706
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.6
  • 作者:
    Imura Masataka;Inaba Hideki;Mano Takaaki;Ishida Nobuyuki;Uesugi Fumihiko;Kuroda Yoko;Nakayama Yoshiko;Takeguchi Masaki;Koide Yasuo
  • 通讯作者:
    Koide Yasuo
Ⅲ族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたダイヤモンド電子デバイスの開発.
利用 III 族氮化物纳米层压材料的独特结构开发金刚石电子器件。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小出 康夫;劉 江偉;井村 将隆;廖 梅勇.
  • 通讯作者:
    廖 梅勇.
高放射線耐性半導体検出器の開発
高耐辐射半导体探测器的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    シェン シウリン;市川 公善;Zhaohui Huang;小出 康夫;井村 将隆;小泉 聡;廖 梅勇.;井村 将隆;井村 将隆
  • 通讯作者:
    井村 将隆
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    $ 2.75万
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