Development of diamond electronic devices using AlN/diamond heterojunction
Development of diamond electronic devices using AlN/diamond heterojunction
利用AlN/金刚石异质结开发金刚石电子器件
批准号：
19K04501
负责人：
IMURA Masataka
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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Challenge to development of III-nitride Nanolaminates/Diamond Heterojunction devices.
III 族氮化物纳米层压材料/金刚石异质结器件的开发面临的挑战。
III 族氮化物纳米层压材料/金刚石异质结器件的开发面临的挑战。
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小出 康夫, 井村 将隆, 劉 江偉, 廖 梅勇.]
通讯作者：
廖 梅勇.
DOI：
10.1002/pssr.202100352
发表时间：
2021-07
期刊：
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters
影响因子：
--
作者：
[Xiulin Shen;Huanying Sun;L. Sang;M. Imura;Y. Koide;S. Koizumi;M. Liao]
通讯作者：
Xiulin Shen;Huanying Sun;L. Sang;M. Imura;Y. Koide;S. Koizumi;M. Liao
Improvement of structural quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy using post-growth annealing with trimethylgallium
使用三甲基镓生长后退火通过金属有机气相外延提高 c 面蓝宝石衬底上生长的 AlN 层的结构质量
使用三甲基镓生长后退火通过金属有机气相外延提高 c 面蓝宝石衬底上生长的 AlN 层的结构质量
DOI：
10.1063/5.0076706
发表时间：
2022
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[Imura Masataka, Inaba Hideki, Mano Takaaki, Ishida Nobuyuki, Uesugi Fumihiko, Kuroda Yoko, Nakayama Yoshiko, Takeguchi Masaki, Koide Yasuo]
通讯作者：
Koide Yasuo
Ⅲ族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたダイヤモンド電子デバイスの開発.
利用 III 族氮化物纳米层压材料的独特结构开发金刚石电子器件。
利用 III 族氮化物纳米层压材料的独特结构开发金刚石电子器件。
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小出 康夫, 劉 江偉, 井村 将隆, 廖 梅勇.]
通讯作者：
廖 梅勇.
高放射線耐性半導体検出器の開発
高耐辐射半导体探测器的开发
高耐辐射半导体探测器的开发
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[シェン シウリン, 市川 公善, Zhaohui Huang, 小出 康夫, 井村 将隆, 小泉 聡, 廖 梅勇., 井村 将隆, 井村 将隆]
通讯作者：
井村 将隆
共 19 条
Telexistence system with three-dimensional fog display
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批准号：25730121
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2013
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负责人：IMURA Masataka
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依托单位：
Development of AlN/Diamond Heterojunction Field Effect Transistor
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批准号：23760319
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2011
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负责人：IMURA Masataka
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依托单位：
Realization of ultra violet environment devices by using diamond and AlN hybrid structure
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批准号：21760268
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.08万
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财政年份：2009
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负责人：IMURA Masataka
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依托单位：
海外基金