Development of diamond electronic devices using AlN/diamond heterojunction

利用AlN/金刚石异质结开发金刚石电子器件

• 批准号: 19K04501
• 负责人: IMURA Masataka
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04501/
• 关键词: 窒化アルミニウム; ダイヤモンド; 光デバイス; 電子デバイス; 有機金属化合物気相成長法; マイクロ波プラズマ気相成長法; ワイドギャップ半導体; 窒化物半導体; 電子デバイス・電子機器; ダイオード; 電子エミッタ; 有機金属化合物化合物気相成長法; 原子層堆積成長法; 原子層体積成長法; PIN接合; ヘテロ接合

项目成果

Challenge to development of III-nitride Nanolaminates/Diamond Heterojunction devices.

III 族氮化物纳米层压材料/金刚石异质结器件的开发面临的挑战。

• 发表时间: 2021
• 作者: 小出 康夫;井村 将隆;劉 江偉;廖 梅勇.
• 通讯作者: 廖 梅勇.

Integrated TbDyFe Film on a Single‐Crystal Diamond Microelectromechanical Resonator for Magnetic Sensing

• DOI: 10.1002/pssr.202100352
• 发表时间: 2021-07
• 期刊: physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters
• 作者: Xiulin Shen;Huanying Sun;L. Sang;M. Imura;Y. Koide;S. Koizumi;M. Liao

Improvement of structural quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy using post-growth annealing with trimethylgallium

使用三甲基镓生长后退火通过金属有机气相外延提高 c 面蓝宝石衬底上生长的 AlN 层的结构质量

• DOI: 10.1063/5.0076706
• 发表时间: 2022
• 期刊: AIP Advances
• 影响因子: 1.6
• 作者: Imura Masataka;Inaba Hideki;Mano Takaaki;Ishida Nobuyuki;Uesugi Fumihiko;Kuroda Yoko;Nakayama Yoshiko;Takeguchi Masaki;Koide Yasuo
• 通讯作者: Koide Yasuo

Ⅲ族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたダイヤモンド電子デバイスの開発.

利用 III 族氮化物纳米层压材料的独特结构开发金刚石电子器件。

• 发表时间: 2021
• 作者: 小出 康夫;劉 江偉;井村 将隆;廖 梅勇.
• 通讯作者: 廖 梅勇.

高放射線耐性半導体検出器の開発

高耐辐射半导体探测器的开发

• 发表时间: 2020
• 作者: シェン シウリン;市川 公善;Zhaohui Huang;小出 康夫;井村 将隆;小泉 聡;廖 梅勇.;井村 将隆;井村 将隆
• 通讯作者: 井村 将隆