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Realization of ultra violet environment devices by using diamond and AlN hybrid structure
利用金刚石和AlN混合结构实现紫外环境器件
基本信息
- 批准号：21760268
- 负责人：
- 金额：$ 1.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2010
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
AlN epitaxial layers were successfully grown on diamond substrates as heteroepitaxial growth by MOVPE. The electronic devices, such as FETs, were fabricated by using AlN/diamond heterostructure. As a result, the device behaved as a p-channel FET with normally-on depletion mode. The AlN/diamond heterostructure FETs were highly promising for the next generation power electronics.
利用MOVPE技术在金刚石衬底上成功地异质外延生长了AlN外延层。利用AlN/金刚石异质结制备了场效应晶体管等电子器件。因此，该器件表现为具有常开耗尽模式的p沟道FET。AlN/金刚石异质结场效应晶体管在下一代电力电子领域具有广阔的应用前景。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Microstructure of AlN layer on (001) and (111) diamond substrates by metal organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延在（001）和（111）金刚石衬底上 AlN 层的微观结构
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Imura;K.Nakajima;M.Y.Liao;Y.Koide;H.Amano
- 通讯作者：H.Amano
Microstructure of AlN layer on(001)and(111)diamond substrates by metal organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延在(001)和(111)金刚石衬底上AlN层的显微结构
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：井村将隆;中島清美;廖梅勇;小出康夫;天野浩
- 通讯作者：天野浩
Growth of AlN on (001), (110), and (111) diamond substrates
AlN 在 (001)、(110) 和 (111) 金刚石基板上的生长
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Imura;K.Nakajima;M.Y.Liao;Y.Koide;H.Amano
- 通讯作者：H.Amano
Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (1 1 1) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2009.09.020
- 发表时间：2010-04
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：M. Imura;K. Nakajima;M. Liao;Y. Koide;H. Amano
- 通讯作者：M. Imura;K. Nakajima;M. Liao;Y. Koide;H. Amano
Growth of AlN on (001) diamond substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延在 (001) 金刚石基底上生长 AlN
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Imura;K.Nakajima;M.Y.Liao;Y.Koide;H.Amano
- 通讯作者：H.Amano
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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