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Realization of ultra violet environment devices by using diamond and AlN hybrid structure

Realization of ultra violet environment devices by using diamond and AlN hybrid structure
利用金刚石和AlN混合结构实现紫外环境器件
批准号：
21760268
负责人：
IMURA Masataka
金额：
$1.08万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760268/
关键词：
ダイヤモンド窒化物半導体電子デバイスヘテロ構造窒化アルミニウム電界効果トランジスタ転位透過型電子顕微鏡結晶成長デバイス設計電子電気材料光スイッチ環境材料

项目摘要

项目成果

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中文摘要
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利用MOVPE技术在金刚石衬底上成功地异质外延生长了AlN外延层。利用AlN/金刚石异质结制备了场效应晶体管等电子器件。因此，该器件表现为具有常开耗尽模式的p沟道FET。AlN/金刚石异质结场效应晶体管在下一代电力电子领域具有广阔的应用前景。
英文摘要
AlN epitaxial layers were successfully grown on diamond substrates as heteroepitaxial growth by MOVPE. The electronic devices, such as FETs, were fabricated by using AlN/diamond heterostructure. As a result, the device behaved as a p-channel FET with normally-on depletion mode. The AlN/diamond heterostructure FETs were highly promising for the next generation power electronics.
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会议论文
Microstructure of AlN layer on (001) and (111) diamond substrates by metal organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延在（001）和（111）金刚石衬底上 AlN 层的微观结构
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano]
通讯作者： H.Amano
Microstructure of AlN layer on(001)and(111)diamond substrates by metal organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延在(001)和(111)金刚石衬底上AlN层的显微结构
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [井村将隆, 中島清美, 廖梅勇, 小出康夫, 天野浩]
通讯作者： 天野浩
Growth of AlN on (001), (110), and (111) diamond substrates
AlN 在 (001)、(110) 和 (111) 金刚石基板上的生长
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano]
通讯作者： H.Amano
Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (1 1 1) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2009.09.020
发表时间： 2010-04
期刊： Journal of Crystal Growth
影响因子： 1.8
作者： [M. Imura;K. Nakajima;M. Liao;Y. Koide;H. Amano]
通讯作者： M. Imura;K. Nakajima;M. Liao;Y. Koide;H. Amano
共 17 条
    Development of diamond electronic devices using AlN/diamond heterojunction
    • 批准号：
      19K04501
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      IMURA Masataka
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    Telexistence system with three-dimensional fog display
    • 批准号：
      25730121
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      IMURA Masataka
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of AlN/Diamond Heterojunction Field Effect Transistor
    • 批准号：
      23760319
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      IMURA Masataka
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    海外基金