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Realization of ultra violet environment devices by using diamond and AlN hybrid structure
利用金刚石和AlN混合结构实现紫外环境器件
基本信息
- 批准号：21760268
- 负责人：
- 金额：$ 1.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2010
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
AlN epitaxial layers were successfully grown on diamond substrates as heteroepitaxial growth by MOVPE. The electronic devices, such as FETs, were fabricated by using AlN/diamond heterostructure. As a result, the device behaved as a p-channel FET with normally-on depletion mode. The AlN/diamond heterostructure FETs were highly promising for the next generation power electronics.
ALN外延层成功地在钻石底物上生长，作为Movpe的杂膜生长。通过使用ALN/Diamond异质结构制造电子设备，例如FET。结果，该设备的表现是正常耗尽模式的P通道FET。对于下一代电力电子产品，ALN/Diamond异质结构FET非常有前途。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Microstructure of AlN layer on (001) and (111) diamond substrates by metal organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延在（001）和（111）金刚石衬底上 AlN 层的微观结构
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Imura;K.Nakajima;M.Y.Liao;Y.Koide;H.Amano
- 通讯作者：H.Amano
Microstructure of AlN layer on(001)and(111)diamond substrates by metal organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延在(001)和(111)金刚石衬底上AlN层的显微结构
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：井村将隆;中島清美;廖梅勇;小出康夫;天野浩
- 通讯作者：天野浩
Growth of AlN on (001), (110), and (111) diamond substrates
AlN 在 (001)、(110) 和 (111) 金刚石基板上的生长
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Imura;K.Nakajima;M.Y.Liao;Y.Koide;H.Amano
- 通讯作者：H.Amano
Microstructure of AlN with two-domain structure on (001) diamond substrate grown by metal-organic vapor phase epitaxy
(001)金刚石衬底上金属有机气相外延生长的双畴结构AlN的显微结构
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Imura;K.Nakajima;M.Y.Liao;Y.Koide;H.Amano
- 通讯作者：H.Amano
Growth of AlN on (001) diamond substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延在 (001) 金刚石基底上生长 AlN
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.Imura;K.Nakajima;M.Y.Liao;Y.Koide;H.Amano
- 通讯作者：H.Amano
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