Planar-type electron emission device with high emission efficiency and high energy emission based on atomic layer and nanocrystalline materials

基于原子层和纳米晶材料的高发射效率、高能量发射的平面型电子发射器件

基本信息

  • 批准号:
    19K04516
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
微結晶シリコンを用いた平面型電子源からの電子放射(Ⅰ)
使用微晶硅的平面电子源的电子发射 (I)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    嶋脇秀隆;村上勝久;長尾昌善;根尾陽一郎;三村秀典
  • 通讯作者:
    三村秀典
Electron emission properties of planar-type electron emission sources based on nanocrystalline silicon
纳米晶硅平面型电子发射源的电子发射特性
Electron Emission Study of Planar-Type Electron Emission Devices Based on Nanocrystalline Silicon
基于纳米晶硅的平面型电子发射器件的电子发射研究
  • DOI:
    10.1149/09204.0223ecst
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shimawaki Hidetaka;Mimura Hidenori;Murakami Katsuhisa;Nagao Masayoshi
  • 通讯作者:
    Nagao Masayoshi
ナノ結晶シリコンを用いた平面型電子放出素子からの電子放出(Ⅱ)
使用纳米晶硅的平面电子发射器件的电子发射(II)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    島脇秀隆;村上勝久;長尾昌善;三村秀典
  • 通讯作者:
    三村秀典
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  • 通讯作者:
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  • 期刊:
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  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hidetaka Shimawaki;Masayoshi Nagao;Tomoya Yoshida;Yoichiro Neo;Hidenori Mimura;Fujio Wakaya;Mikio Takai
  • 通讯作者:
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