Planar-type electron emission device with high emission efficiency and high energy emission based on atomic layer and nanocrystalline materials
Planar-type electron emission device with high emission efficiency and high energy emission based on atomic layer and nanocrystalline materials
基于原子层和纳米晶材料的高发射效率、高能量发射的平面型电子发射器件
批准号：
19K04516
负责人：
Hidetaka Shimawaki
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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微結晶シリコンを用いた平面型電子源からの電子放射（Ⅰ）
使用微晶硅的平面电子源的电子发射 (I)
使用微晶硅的平面电子源的电子发射 (I)
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[嶋脇秀隆, 村上勝久, 長尾昌善, 根尾陽一郎, 三村秀典]
通讯作者：
三村秀典
Electron emission properties of planar-type electron emission sources based on nanocrystalline silicon
纳米晶硅平面型电子发射源的电子发射特性
纳米晶硅平面型电子发射源的电子发射特性
DOI：
10.1109/ivnc49440.2020.9203289
发表时间：
2020
期刊：
Technical Digest of 33rd International Vacuum Nanoelectronics Conference
影响因子：
--
作者：
[Shimawaki H., Murakami K., Nagao M., Mimura H.]
通讯作者：
Mimura H.
Electron Emission Study of Planar-Type Electron Emission Devices Based on Nanocrystalline Silicon
基于纳米晶硅的平面型电子发射器件的电子发射研究
基于纳米晶硅的平面型电子发射器件的电子发射研究
DOI：
10.1149/09204.0223ecst
发表时间：
2019
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[Shimawaki Hidetaka, Mimura Hidenori, Murakami Katsuhisa, Nagao Masayoshi]
通讯作者：
Nagao Masayoshi
ナノ結晶シリコンを用いた平面型電子放出素子からの電子放出（Ⅱ）
使用纳米晶硅的平面电子发射器件的电子发射（II）
使用纳米晶硅的平面电子发射器件的电子发射（II）
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[島脇秀隆, 村上勝久, 長尾昌善, 三村秀典]
通讯作者：
三村秀典
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