Basic study for application of narrow gap oxide semiconductors with zinc blende structure
Basic study for application of narrow gap oxide semiconductors with zinc blende structure
闪锌矿结构窄带隙氧化物半导体应用基础研究
批准号：
19K05008
负责人：
Kita Masao
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
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ウルツ鉱型関連構造のナローギャップ酸化物半導体Cu2ZnGeO4の高温における相転移
具有纤锌矿结构的窄带隙氧化物半导体 Cu2ZnGeO4 的高温相变
具有纤锌矿结构的窄带隙氧化物半导体 Cu2ZnGeO4 的高温相变
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[喜多 正雄, 和田 憲幸, 鈴木 一誓,小俣 孝久]
通讯作者：
鈴木 一誓,小俣 孝久
ミストCVD法によるCu3VO4薄膜の形成における溶媒の影響
溶剂对雾气CVD法形成Cu3VO4薄膜的影响
溶剂对雾气CVD法形成Cu3VO4薄膜的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yuuki Oho, Tomoyuki Homma, and Masao Kita, 野上大一，喜多正雄, 喜多正雄，大門貴寛，野上大一, 喜多 正雄・大門 貴寛]
通讯作者：
喜多 正雄・大門 貴寛
Growth of β-NaGaO2 thin films using ultrasonic spray pyrolysis
利用超声波喷雾热解生长 β-NaGaO2 薄膜
利用超声波喷雾热解生长 β-NaGaO2 薄膜
DOI：
10.1080/21870764.2022.2082049
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Asian Ceramic Societies
影响因子：
2.3
作者：
[Suzuki Issei, Suzuki Shunichi, Watanabe Tatsuya, Kita Masao, Omata Takahisa]
通讯作者：
Omata Takahisa
Enhanced Valley Splitting of Exciton Emission in Colloidal PbSe Quantum Dots When the Interdot Distance Coincides with Onset of Forster Resonance Energy Transfer
当点间距离与福斯特共振能量转移的开始一致时，胶体 PbSe 量子点中激子发射的增强谷分裂
当点间距离与福斯特共振能量转移的开始一致时，胶体 PbSe 量子点中激子发射的增强谷分裂
DOI：
10.1021/acs.jpclett.1c00165
发表时间：
2021
期刊：
The Journal of Physical Chemistry Letters
影响因子：
--
作者：
[Omata Takahisa, Asano Hiroshi, Sakai Masahiro, Terai Yoshikazu, Kita Masao]
通讯作者：
Kita Masao
Fabrication of Cu3VO4 thin films by Mist CVD method
雾化CVD法制备Cu3VO4薄膜
雾化CVD法制备Cu3VO4薄膜
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takahiro Daimon, Makoto Inoue, Tomoyuki Homma, and Masao Kita]
通讯作者：
and Masao Kita
共 19 条