Surface reaction kinetics in no-thermal equilibrium states: Simultaneous observation of strain and reaction rate by surface analysis methods
Surface reaction kinetics in no-thermal equilibrium states: Simultaneous observation of strain and reaction rate by surface analysis methods
批准号:
19K05260
负责人:
TAKAKUWA Yuji
金额:
$2.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2023-03-31
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点欠陥発生を介したSi酸化反応機構
通过点缺陷产生的硅氧化反应机理
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小川修一, 高桑雄二]
通讯作者:
高桑雄二
Observation of chemisorbed O2 molecules at SiO2/Si(001) interface during Si dry oxidation
Si干氧化过程中SiO2/Si(001)界面化学吸附O2分子的观察
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
e-J. Surf. Sci. Nanothech.
影响因子:
--
作者:
[Y. Tsuda, A. Yoshigoe, S. Ogawa, T. Sakamoto, Y. Takakuwa]
通讯作者:
Y. Takakuwa
光電子ホログラフィーを用いたSi(111)-7×7 表面の初期酸化構造解析
利用光电子全息技术分析Si(111)-7×7表面的初始氧化结构
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[竹内走一郎, 古賀峻丞, 田中晶貴, 孫澤旭, 津田泰孝, 小川修一, 髙桑雄二, 室隆桂之, 橋本由介, 吉越章隆, 松下智裕]
通讯作者:
松下智裕
X線光電子分光によるガス雰囲気中の表面反応観察:歴史、応用、課題、将来展望
使用 X 射线光电子能谱观测气体气氛中的表面反应:历史、应用、挑战和未来前景
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
放射光
影响因子:
--
作者:
[高桑雄二, 小川修一, 吉越章隆]
通讯作者:
吉越章隆
SiO2/Si(001)界面のバンドベンディングへの酸素と放射光のON-OFF効果
氧和同步辐射对SiO2/Si(001)界面能带弯曲的ON-OFF影响
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[津田 泰孝, 小川 修一, 吉越 章隆, 坂本 徹哉, 高桑 雄二]
通讯作者:
高桑 雄二
共 26 条
Study of the thermal oxidation reaction dynamics on strain-controlled Si surfaces
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批准号:16360015
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$7.68万
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财政年份:2004
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负责人:TAKAKUWA Yuji
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依托单位:
In-situ observation of thermal oxidation on the Si surface by RHEED-AES CL
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批准号:12650026
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2000
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负责人:TAKAKUWA Yuji
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依托单位:
海外基金