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Improvement of device characteristics by elucidation of non-radiative defect formation mechanism in diamond crystals

通过阐明金刚石晶体中非辐射缺陷形成机制来改善器件特性

基本信息

批准号：
19K05293
负责人：
Maida Osamu
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（13）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

SiO2/ホウ素添加CVDダイヤモンド界面の過渡光容量法を用いた界面準位評価

采用瞬态光电容法评估SiO2/掺硼CVD金刚石界面的界面态

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
毎田修;児玉大志;兼本大輔，廣瀬哲也
通讯作者：
兼本大輔，廣瀬哲也

過渡光容量分光法を用いたボロンドープダイヤモンド薄膜の非輻射欠陥評価

使用瞬态光学电容光谱法评估硼掺杂金刚石薄膜的非辐射缺陷

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
O. Maida;T. Kodama;D. Kanemoto and Tetsuya Hirose;毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也;毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也;Osamu Maida and Ryosuke Yamashita;毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也;毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也
通讯作者：
毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也

Characterization of deep interface states in SiO2/B-doped diamond using the transient photocapacitance method

使用瞬态光电容法表征 SiO2/B 掺杂金刚石的深界面态

DOI：
10.1016/j.tsf.2021.139026
发表时间：
2022
期刊：
Thin Solid Films
影响因子：
2.1
作者：
O. Maida;D. Kanemoto;and T. Hirose
通讯作者：
and T. Hirose

ホモエピタキシャル成長ホウ素ドープダイヤモンド半導体結晶の深い欠陥準位評価

同质外延生长的掺硼金刚石半导体晶体中深缺陷水平的评估

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
毎田修;市川修平;小島一信
通讯作者：
小島一信

Characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond films

硼掺杂（001）和（111）金刚石薄膜深能级缺陷的表征

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
O. Maida;S. Ichikawa;and K. Kojima
通讯作者：
and K. Kojima

DOI：
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作者：
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Maida Osamu其他文献

Development of Highly-Sensitive Transient Photocapacitance Mesurement System for Deep Defects in Boron-Doped Diamond (100) Films

掺硼金刚石（100）薄膜深部缺陷高灵敏瞬态光电容测量系统的研制

DOI：
10.1109/imfedk.2018.8581973
发表时间：
2018
期刊：
Future of Electron Devices on IEEE Xplore Digital Library
影响因子：
0
作者：
Miyawaki Kenta;Yamashita Ryosuke;Kodama Taishi;Maida Osamu
通讯作者：
Maida Osamu

Dependences of deposition rate and OH content on concentration of added trichloroethylene in low-temperature silicon oxide films deposited using silicone oil and ozone gas

使用硅油和臭氧气体沉积的低温氧化硅薄膜中沉积速率和 OH 含量对添加三氯乙烯浓度的依赖性

DOI：
10.7567/jjap.57.03da02
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Maruoka Kenji;Naito Taiki;Maida Osamu;Ito Toshimichi;Susumu Horita and Puneet Jain
通讯作者：
Susumu Horita and Puneet Jain

An 11.8 nA ultra-low power active diode using a hysteresis common gate comparator for low-power energy harvesting systems

11.8 nA 超低功耗有源二极管，采用迟滞共栅比较器，适用于低功耗能量收集系统

DOI：
10.1587/elex.17.20200103
发表时间：
2020
期刊：
IEICE Electronics Express
影响因子：
0.8
作者：
Matsumoto Kaori;Asano Hiroki;Nakazawa Yuichiro;Kuroki Nobutaka;Numa Masahiro;Maida Osamu;Kanemoto Daisuke;Hirose Tetsuya
通讯作者：
Hirose Tetsuya

A 35-mV supply ring oscillator consisting of stacked body bias inverters for extremely low-voltage LSIs

由适用于极低压 LSI 的堆叠体偏置逆变器组成的 35mV 电源环形振荡器

DOI：
10.1587/elex.18.20210065
发表时间：
2021
期刊：
IEICE Electronics Express
影响因子：
0.8
作者：
Nishi Masaya;Matsumoto Kaori;Kuroki Nobutaka;Numa Masahiro;Sebe Hikaru;Matsuzuka Ryo;Maida Osamu;Kanemoto Daisuke;Hirose Tetsuya
通讯作者：
Hirose Tetsuya