Improvement of device characteristics by elucidation of non-radiative defect formation mechanism in diamond crystals
Improvement of device characteristics by elucidation of non-radiative defect formation mechanism in diamond crystals
通过阐明金刚石晶体中非辐射缺陷形成机制来改善器件特性
批准号：
19K05293
负责人：
Maida Osamu
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
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SiO2/ホウ素添加CVDダイヤモンド界面の過渡光容量法を用いた界面準位評価
采用瞬态光电容法评估SiO2/掺硼CVD金刚石界面的界面态
采用瞬态光电容法评估SiO2/掺硼CVD金刚石界面的界面态
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[毎田 修, 児玉 大志, 兼本 大輔，廣瀬 哲也]
通讯作者：
兼本 大輔，廣瀬 哲也
過渡光容量分光法を用いたボロンドープダイヤモンド薄膜の非輻射欠陥評価
使用瞬态光学电容光谱法评估硼掺杂金刚石薄膜的非辐射缺陷
使用瞬态光学电容光谱法评估硼掺杂金刚石薄膜的非辐射缺陷
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[O. Maida, T. Kodama, D. Kanemoto and Tetsuya Hirose, 毎田 修，兼本 大輔，廣瀬 哲也, 毎田 修，兼本 大輔，廣瀬 哲也, Osamu Maida and Ryosuke Yamashita, 毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也, 毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也]
通讯作者：
毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也
Characterization of deep interface states in SiO2/B-doped diamond using the transient photocapacitance method
使用瞬态光电容法表征 SiO2/B 掺杂金刚石的深界面态
使用瞬态光电容法表征 SiO2/B 掺杂金刚石的深界面态
DOI：
10.1016/j.tsf.2021.139026
发表时间：
2022
期刊：
Thin Solid Films
影响因子：
2.1
作者：
[O. Maida, D. Kanemoto, and T. Hirose]
通讯作者：
and T. Hirose
ホモエピタキシャル成長ホウ素ドープダイヤモンド半導体結晶の深い欠陥準位評価
同质外延生长的掺硼金刚石半导体晶体中深缺陷水平的评估
同质外延生长的掺硼金刚石半导体晶体中深缺陷水平的评估
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[毎田 修, 市川 修平, 小島一信]
通讯作者：
小島一信
Characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond films
硼掺杂（001）和（111）金刚石薄膜深能级缺陷的表征
硼掺杂（001）和（111）金刚石薄膜深能级缺陷的表征
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[O. Maida, S. Ichikawa, and K. Kojima]
通讯作者：
and K. Kojima
共 13 条
Elucidation and control of generation mechanism of non-radiative defects in diamond crystal
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批准号：16K06262
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.91万
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财政年份：2016
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负责人：Maida Osamu
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依托单位：
海外基金