Anlage zum selektiven Laserschmelzen

中国机械工程研究所，德国机械工程研究所，德国机械工程研究所，德国机械工程研究所，德国机械工程研究所，德国机械工程研究所在Fachgebiet上，我们发现了一种新的分析方法，即选择电子产品。Über die zu beschaffende Anlage sollen in ähnlicher Weise endkonturnahe Bauteile in pulpulbett herstellbar sein。(1)“Die Strahlquelle sodie Prozessbedingungen sollen”，“Die strahlprozess unterscheiden”，“Die”，“Die”，“Die”。他的muss die Möglichkeit best stehen， den bauaum和die vergaren powergenen和Bauteilgrößen anzupassen和unter Schutzgas zu bauen。Zur gezielten Nutzung von prozessinduzierten Eigenspannungen soll die Anlage mit iner Bauraumheizung ausgestattet sein, die temperature is zu mindestens 500℃。最后一种优化方法，材料效率和一些新的激光加工方法：激光加工技术，激光加工技术，激光加工技术。激光分析与设计：激光分析与设计：激光分析与设计：激光设计与设计：激光设计与设计：激光设计与设计：激光设计与设计：激光设计与设计：激光设计与设计：激光设计与设计zr Herstellung - microstrutrelgraditer probmuss uneingeschränkt zwischen - den Laserquellen在Bauprozess geschaltet werden können。

Am Institut für Werkstofftechnik, Fachgebiet Metallische Werkstoffe soll der Forschungsschwerpunkt Prozess-Mikrostruktur-Eigenschaftswechselwirkungen in der additiven Fertigung gestärkt werden. Im Fachgebiet ist bereits eine Anlage zum selektiven Elektronenstrahlschmelzen vorhanden. Über die zu beschaffende Anlage sollen in ähnlicher Weise endkonturnahe Bauteile im Pulverbett herstellbar sein. Die Strahlquelle sowie die Prozessbedingungen sollen sich jedoch vom Elektronenstrahlprozess unterscheiden, um gerade den Einfluss auf die mikrostrukturelle Entwicklung sowie die resultierenden mechanischen Eigenschaften zu erforschen. Es muss die Möglichkeit bestehen, den Bauraum an die verfügbaren Pulvermengen und Bauteilgrößen anzupassen und unter Schutzgas zu bauen. Zur gezielten Nutzung von prozessinduzierten Eigenspannungen soll die Anlage mit einer Bauraumheizung ausgestattet sein, die Temperaturen bis zu mindestens 500 °C erlaubt. Die Herstellung lastoptimierter, materialeffizienter und somit leichtbauender filigraner Gitterstrukturen ist nur über den Einsatz einer Laserquelle mit Gauß-Strahlprofil möglich. Gleichzeitig muss in der Anlage jedoch ein Laser hoher Leistungsklasse mit Top-Hat-Profil vorhanden sein um ein direktes Mikrostrukturdesign in großvolumigen Bauteilen zu ermöglichen. Zur Herstellung mikrostrukturell gradierter Proben muss uneingeschränkt zwischen den beiden Laserquellen im Bauprozess geschaltet werden können.