CMOS-compatible ultra-low-power non-volatile memory and its application to sensor node chip
CMOS-compatible ultra-low-power non-volatile memory and its application to sensor node chip
批准号:
19K11889
负责人:
Ochi Hiroyuki
金额:
$2.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31
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間欠動作を行うIoT向けプロセッサに適したFiCCを用いた不揮発スタンダードセルメモリの実測評価
使用适用于执行间歇操作的 IoT 处理器的 FiCC 对非易失性标准单元存储器进行实测评估
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[阿部佑貴, 小林和淑, 塩見準, 越智裕之]
通讯作者:
越智裕之
FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定
使用 FiCC 测量 CMOS 兼容非易失性存储器的器件特性
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[田中 一平, 宮川 尚之, 木村 知也, 今川 隆司, 越智 裕之]
通讯作者:
越智 裕之
FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ素子の閾値電圧特性の測定ならびに読み出し方式検討
使用 FiCC 测量 CMOS 兼容非易失性存储元件的阈值电压特性并研究读出方法
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[田中 一平, 宮川 尚之, 木村 知也, 今川 隆司, 越智 裕之]
通讯作者:
越智 裕之
Zero-standby-power Nonvolatile Standard Cell Memory Using FiCC for IoT Processors with Intermittent Operations
使用 FiCC 的零待机功耗非易失性标准单元存储器,用于间歇操作的物联网处理器
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yuki Abe, Kazutoshi Kobayashi, Jun Shiomi, Hiroyuki Ochi]
通讯作者:
Hiroyuki Ochi
Nonvolatile SRAM Using Fishbone-in-Cage Capacitor in a 180 nm Standard CMOS Process for Zero-standby and Instant-powerup Embedded Memory on IoT
非易失性 SRAM 在 180 nm 标准 CMOS 工艺中使用鱼骨笼电容器,实现物联网上的零待机和即时通电嵌入式存储器
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Takaki Urabe, Hiroyuki Ochi, and Kazutoshi Kobayashi]
通讯作者:
and Kazutoshi Kobayashi
共 6 条
Highly efficient voltage booster for embedded on-chip solar cells
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批准号:16K00085
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.91万
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财政年份:2016
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负责人:Ochi Hiroyuki
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依托单位: