Substratinduzierte Nanokristallisation amorpher Schichten

纳米晶Schichten MIT Dien im Mikrometerbereich Lassen She Sehr Efficient在原位晶化过程中起作用，而在磁控溅射沉积过程中则不发生变化。德克里斯泰斯(Geschwindigkeit，Keimbildung，Mikrostrukturosbildung)是一家大型机械制造企业。这是一种新的碳化硅材料，它是一种新的材料，但不适用于任何一种特殊的材料。在此基础上，我们将在此基础上，提出一种新的解决方案，以解决这一问题，并在此基础上提出一种解决方案。在Ergänzung MIT变速箱中进行的Hierzu Sollen实验-Elektronenmikroskopie and Spektroskopischen Methoden an adomalen Schichten duchgeführt werden，die auf den verschiedensten substrten(z.B.Si，SIC，C等)Abgeschieden Wurden。在自我扩散的过程中，他们的行为和行为发生了变化，这是一种特殊的行为，也是一种特殊的行为。他说：“这是一件非常重要的事情，因为这是最好的办法。”您的位置：我也知道>教育/科学>教育/科学>科学与技术>。

Nanokristalline Schichten mit Dicken im Mikrometerbereich lassen sich sehr effizient durch die In-situ-Kristallisation amorpher Schichten herstellen, die durch Magnetronsputterdeposition abgeschieden werden. Der Kristallisationsprozess (Geschwindigkeit, Keimbildung, Mikrostrukturausbildung) hängt dabei von vielerlei Faktoren wie Temperatur, mechanische Spannungen, Reinheit des Ausgangsmaterials etc. ab. Am Beispiel von Siliciumcarbid (SiC) konnte gezeigt werden, dass auch das Substrat auf dem die Abscheidung erfolgte bei sonst gleichen Parametern einen entscheidenden Einfluss auf die Kristallisationsvorgänge und insbesondere auf die zugrunde liegende Kinetik hat. Ziel dieses Projekts ist die Untersuchung und Erklärung dieses Phänomens auf der Basis eines durch Punktdefekte kontrollierten Kristallisationsmechanismus sowie die Entwicklung einer Methode den Grad der Kristallisation sowie die Kristallitgröße unabhängig von der Temperatur gezielt zu beeinflussen. Hierzu sollen Experimente mit Dünnschicht- Röntgenbeugung und in Ergänzung mit Transmissions-Elektronenmikroskopie und spektroskopischen Methoden an amorphen Schichten durchgeführt werden, die auf den verschiedensten Substraten (z. B. Si, SiC, C, etc.) abgeschieden wurden. Die Kinetik der Punktdefekte und der Atome soll durch Selbstdiffusionsuntersuchungen charakterisiert werden, die mit Isotop-Heterostrukturen und Sekundärionen- Massenspektrometrie (SIMS) erfolgen. Aus den Ergebnissen soll ein Modell zur substratabhängigen Kristallisation amorpher Schichten erstellt werden, das einen defektkontrollierten Ansatz bestätigt oder widerlegt. Die Ergebnisse würden substantiell zum besseren Verständnis von Kristallisationsvorgängen dünner Schichten beitragen.