Substratinduzierte Nanokristallisation amorpher Schichten

摘要纳米晶化技术是一种高效的原位晶化技术，是一种磁控溅射沉积技术。结晶过程（Geschwindigkeit, keimbilung, microstrukturausbilung） hängt dabei von vielerlei Faktoren温度，力学，材料等ab. Am Beispiel von碳化硅（SiC） kontegeitight werden， dass of the substrate auf dem die Abscheidung erfolgte bei sonichen参数einen entscheiden Einfluss aufdie Kristallisationsvorgänge and insbesonere auf die zugrunde liegende Kinetik hat。Ziel dieses项目ist die Untersuchung和Erklärung dieses Phänomens auder Basis eines durch punktdefkte controlcontrollierten Kristallisationsmechanismus sowie die Entwicklung einer method den Grad der kristallisationsowie die Kristallitgröße unabhängig von der temperature gezielt zubeinfussen。[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]Die Kinetik der punktdefkte和der atom soll durch Selbstdiffusionsuntersuchungen charakterisierden， Die mit同位素异质结构和Sekundärionen-质谱（SIMS） erfolgen。在建模过程中，研究了如何建立模型substratabhängigen结晶变形模型；在分析过程中，研究了如何建立控制模型bestätigt。1 . Die Ergebnisse w<s:1> rden substantiell zum besseren Verständnis von Kristallisationsvorgängen d<s:1> nner Schichten beitragen。

Nanokristalline Schichten mit Dicken im Mikrometerbereich lassen sich sehr effizient durch die In-situ-Kristallisation amorpher Schichten herstellen, die durch Magnetronsputterdeposition abgeschieden werden. Der Kristallisationsprozess (Geschwindigkeit, Keimbildung, Mikrostrukturausbildung) hängt dabei von vielerlei Faktoren wie Temperatur, mechanische Spannungen, Reinheit des Ausgangsmaterials etc. ab. Am Beispiel von Siliciumcarbid (SiC) konnte gezeigt werden, dass auch das Substrat auf dem die Abscheidung erfolgte bei sonst gleichen Parametern einen entscheidenden Einfluss auf die Kristallisationsvorgänge und insbesondere auf die zugrunde liegende Kinetik hat. Ziel dieses Projekts ist die Untersuchung und Erklärung dieses Phänomens auf der Basis eines durch Punktdefekte kontrollierten Kristallisationsmechanismus sowie die Entwicklung einer Methode den Grad der Kristallisation sowie die Kristallitgröße unabhängig von der Temperatur gezielt zu beeinflussen. Hierzu sollen Experimente mit Dünnschicht- Röntgenbeugung und in Ergänzung mit Transmissions-Elektronenmikroskopie und spektroskopischen Methoden an amorphen Schichten durchgeführt werden, die auf den verschiedensten Substraten (z. B. Si, SiC, C, etc.) abgeschieden wurden. Die Kinetik der Punktdefekte und der Atome soll durch Selbstdiffusionsuntersuchungen charakterisiert werden, die mit Isotop-Heterostrukturen und Sekundärionen- Massenspektrometrie (SIMS) erfolgen. Aus den Ergebnissen soll ein Modell zur substratabhängigen Kristallisation amorpher Schichten erstellt werden, das einen defektkontrollierten Ansatz bestätigt oder widerlegt. Die Ergebnisse würden substantiell zum besseren Verständnis von Kristallisationsvorgängen dünner Schichten beitragen.