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Substratinduzierte Nanokristallisation amorpher Schichten

Substratinduzierte Nanokristallisation amorpher Schichten
非晶薄膜的基底诱导纳米晶化
批准号:
35266068
负责人:
Professor Dr. Harald Schmidt
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2007
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2006-12-31 至 2011-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
摘要纳米晶化技术是一种高效的原位晶化技术,是一种磁控溅射沉积技术。结晶过程(Geschwindigkeit, keimbilung, microstrukturausbilung) hängt dabei von vielerlei Faktoren温度,力学,材料等ab. Am Beispiel von碳化硅(SiC) kontegeitight werden, dass of the substrate auf dem die Abscheidung erfolgte bei sonichen参数einen entscheiden Einfluss aufdie Kristallisationsvorgänge and insbesonere auf die zugrunde liegende Kinetik hat。Ziel dieses项目ist die Untersuchung和Erklärung dieses Phänomens auder Basis eines durch punktdefkte controlcontrollierten Kristallisationsmechanismus sowie die Entwicklung einer method den Grad der kristallisationsowie die Kristallitgröße unabhängig von der temperature gezielt zubeinfussen。[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]Die Kinetik der punktdefkte和der atom soll durch Selbstdiffusionsuntersuchungen charakterisierden, Die mit同位素异质结构和Sekundärionen-质谱(SIMS) erfolgen。在建模过程中,研究了如何建立模型substratabhängigen结晶变形模型;在分析过程中,研究了如何建立控制模型bestätigt。1 . Die Ergebnisse w<s:1> rden substantiell zum besseren Verständnis von Kristallisationsvorgängen d<s:1> nner Schichten beitragen。
英文摘要
Nanokristalline Schichten mit Dicken im Mikrometerbereich lassen sich sehr effizient durch die In-situ-Kristallisation amorpher Schichten herstellen, die durch Magnetronsputterdeposition abgeschieden werden. Der Kristallisationsprozess (Geschwindigkeit, Keimbildung, Mikrostrukturausbildung) hängt dabei von vielerlei Faktoren wie Temperatur, mechanische Spannungen, Reinheit des Ausgangsmaterials etc. ab. Am Beispiel von Siliciumcarbid (SiC) konnte gezeigt werden, dass auch das Substrat auf dem die Abscheidung erfolgte bei sonst gleichen Parametern einen entscheidenden Einfluss auf die Kristallisationsvorgänge und insbesondere auf die zugrunde liegende Kinetik hat. Ziel dieses Projekts ist die Untersuchung und Erklärung dieses Phänomens auf der Basis eines durch Punktdefekte kontrollierten Kristallisationsmechanismus sowie die Entwicklung einer Methode den Grad der Kristallisation sowie die Kristallitgröße unabhängig von der Temperatur gezielt zu beeinflussen. Hierzu sollen Experimente mit Dünnschicht- Röntgenbeugung und in Ergänzung mit Transmissions-Elektronenmikroskopie und spektroskopischen Methoden an amorphen Schichten durchgeführt werden, die auf den verschiedensten Substraten (z. B. Si, SiC, C, etc.) abgeschieden wurden. Die Kinetik der Punktdefekte und der Atome soll durch Selbstdiffusionsuntersuchungen charakterisiert werden, die mit Isotop-Heterostrukturen und Sekundärionen- Massenspektrometrie (SIMS) erfolgen. Aus den Ergebnissen soll ein Modell zur substratabhängigen Kristallisation amorpher Schichten erstellt werden, das einen defektkontrollierten Ansatz bestätigt oder widerlegt. Die Ergebnisse würden substantiell zum besseren Verständnis von Kristallisationsvorgängen dünner Schichten beitragen.
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Si diffusion in magnetron sputtered silicon carbide films deposited on silicon and carbon substrates
沉积在硅和碳基底上的磁控溅射碳化硅薄膜中的硅扩散
DOI: 10.1016/j.tsf.2009.06.005
发表时间: 2009
期刊: Thin Solid Films
影响因子: 2.1
作者: [W. Gruber, U. Geckle, M. Bruns, H. Schmidt]
通讯作者: H. Schmidt
Self-Diffusion in beta-Ga2O3 Single Crystals
  • 批准号:
    433461542
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2019
  • 负责人:
    Professor Dr. Harald Schmidt
  • 依托单位:
Tracer Diffusion in Proton-Exchanged Lithium Niobate
  • 批准号:
    398946619
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    Professor Dr. Harald Schmidt
  • 依托单位:
In-situ Tracer Diffusion in Solids
  • 批准号:
    327867869
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2016
  • 负责人:
    Professor Dr. Harald Schmidt
  • 依托单位:
Li Diffusion in Lithium Silicon Compounds
  • 批准号:
    316931911
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2016
  • 负责人:
    Professor Dr. Harald Schmidt
  • 依托单位: