Selbstdiffusion in amorphem Silizium

非晶硅中的自扩散

基本信息

批准号：
211026848
负责人：
Professor Dr. Harald Schmidt
金额：
--
依托单位：
Institut für Metallurgie
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2012
资助国家：
德国
起止时间：
2011-12-31 至 2014-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/211026848?language=en
关键词：
Selbstdiffusion amorphem Silizium

项目摘要

Amorphes Silizium (a-Si) ist der Prototyp eines amorphen Halbleiters. Trotz seiner technologischen Bedeutung v. a. im Bereich Solarzellen, Dünnschichttransistoren und Li-Ionen- Batterien liegen für dieses Basismaterial keinerlei experimentelle Daten bezüglich der Selbstdiffusionskoeffizienten vor. Dies ist auf die geringe atomare Beweglichkeit, aufgrund der kovalenten Bindung, gepaart mit der Metastabilität dieses Materials zurückzuführen, was einen experimentellen Zugang extrem erschwert. Die Kenntnis der Selbstdiffusion ist, neben einem grundlegenden Verständnis, wichtig für die thermische Stabilität und das Kristallisationsverhalten, zur Charakterisierung atomarer Punktdefekte sowie für eine Beschreibung struktureller Umordnungs- und Relaxationsvorgänge. Im Rahmen dieses Antrags soll erstmals die Selbstdiffusion in a-Si in Abhängigkeit von der Temperatur, der Glühzeit, dem Wasserstoffgehalt, der Dotierung und dem strukturellen Zustand (amorph/teilkristallin) charakterisiert werden. Die Experimente sollen mit Neutronenreflektometrie an [29Si/nat.Si]20- Isotopmultilagen erfolgen. Diese Methode ermöglicht es Diffusionslängen im Subnanometerbereich, unterhalb des kritischen Keimradius der Kristallisation, bei gleichzeitig niedrigen Diffusionskoeffizienten zu bestimmen. Sie ist daher hervorragend geeignet, die oben genannten Problemfaktoren zu überwinden und erfolgreiche Ergebnisse zu erzielen. Es sollen Parametersätze zur Modellierung von Kristallisations- und strukturellen Umordnungsvorgängen sowie Informationen über Aktivierungsenergien und den Transport vermittelnde Defekte ermittelt und mit den strukturellen Eigenschaften korreliert werden.

silizium（A-Si）iSt der原型Eines Amorphen Halbleiter。 Trotz Seiner Technologischen Bedeutung诉a。 Im Bereich Solarzellen，DünnschichtTransistorenund li-ionen- batterien-batterien-liegenfür消毒基本材料keinerlei bearinerlei datenbezüglichselbstdiffusionskoefusionskoeffizeenten vor。 DIES IST AUF DIE GERINGE ATOMARE BEWEGLICHKEIT，AUFGRUND der Kovalenten Bindung，Gepaart Mit der已创建的材料，并且正在经历实验。除了通过那些通过的人的努力外，该组织还导致了Selbstdiffusion的发展，并建立了Kristalisation，该公司还得出结论，它是一种目前正在以新时代的形式进行的服务形式。除了拉赫门的努力外，该公司还得出结论，这是一个很好的机会，可以体验拉赫曼的antrags soll soll soll sollerstmals在Abhängigkeitvon der der der der der der derderglühzeit，dem dem dem de de dem dem dem dem dem struk的de de de dem perillern teellinl z的si si selbstmals dile selbstdiffusion die selbstdiffusion。 Charakterisiert Werden。 Die Experimente sollen Mit Neutneenreflektometrie an [29si/nat.si] 20-同位素极化Erfolgen。 Diese Methodeermöglichtesdiffusionslängenim subnanometometomeberebere，unterhalb des kritischen最好的运输垂涎是基于世界上最好的。最好的运输速食是基于卫生和福利部。新的建模系统是卫生和福利部提供的一种信息形式，是一种目前正在以当前在日本运营的新公司的形式进行的信息形式。 Ermittelt和Mit Mit Den Strukturellen Eigenschaften Korreliert Werden。