Decomposition of Sn debris of EUV light source for next-generation semiconductor lithography
Decomposition of Sn debris of EUV light source for next-generation semiconductor lithography
用于下一代半导体光刻的 EUV 光源 Sn 碎片的分解
批准号：
18K03600
负责人：
Uchino Kiichiro
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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水素プラズマによるSn薄膜のイオンエッチング過程における水素イオンエネルギーの影響
氢离子能量对氢等离子体离子刻蚀Sn薄膜过程的影响
氢离子能量对氢等离子体离子刻蚀Sn薄膜过程的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永田峻, Ji Mengran, 内野喜一郎]
通讯作者：
内野喜一郎
Studies on Sn Thin Film Decomposition Using VHF hydrogen plasmas
VHF氢等离子体分解Sn薄膜的研究
VHF氢等离子体分解Sn薄膜的研究
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
九州大学大学院総合理工学府報告
影响因子：
--
作者：
[Mengran JI, Ryo NAGATA , and Kiichiro UCHINO]
通讯作者：
and Kiichiro UCHINO
VHF 水素プラズマによる高効率のスズ分解除去
使用 VHF 氢等离子体高效分解锡
使用 VHF 氢等离子体高效分解锡
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[今田玲, 永田峻, Ji Mengran, 内野喜一郎]
通讯作者：
内野喜一郎
Effect of Hydrogen Ion Energy in the Process of Reactive Ion Etching of Sn Thin Films by Hydrogen Plasmas
氢等离子体反应离子刻蚀Sn薄膜过程中氢离子能量的影响
氢等离子体反应离子刻蚀Sn薄膜过程中氢离子能量的影响
DOI：
10.1585/pfr.16.1406003
发表时间：
2021
期刊：
Plasma and Fusion Research
影响因子：
0.8
作者：
[Mengran JI, Ryo NAGATA and Kiichiro UCHINO]
通讯作者：
Ryo NAGATA and Kiichiro UCHINO
EUV 光により誘起された水素プラズマのトムソン散乱計測
EUV 光诱导氢等离子体的汤姆逊散射测量
EUV 光诱导氢等离子体的汤姆逊散射测量
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[堀田隼矢, 伊藤文崇, 富田健太郎, 内野喜一郎]
通讯作者：
内野喜一郎