Hydrogen-mediated defect passivation of semiconductor materials during plasma processing
Hydrogen-mediated defect passivation of semiconductor materials during plasma processing
等离子体处理过程中氢介导的半导体材料缺陷钝化
批准号：
18K03603
负责人：
Nunomura Shota
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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In-situ detection of interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction during plasma processing
等离子体处理过程中 a-Si:H/c-Si 异质结界面缺陷的原位检测
等离子体处理过程中 a-Si:H/c-Si 异质结界面缺陷的原位检测
DOI：
10.7567/1882-0786/ab128b
发表时间：
2019
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Nunomura Shota, Sakata Isao, Matsubara Koji]
通讯作者：
Matsubara Koji
Roles of hydrogen atoms in p-type Poly-Si/SiOx passivation layer for crystalline silicon solar cell applications
氢原子在晶体硅太阳能电池应用 p 型多晶硅/SiOx 钝化层中的作用
氢原子在晶体硅太阳能电池应用 p 型多晶硅/SiOx 钝化层中的作用
DOI：
10.7567/1347-4065/ab14fe
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Lozac’h Mickael, Nunomura Shota, Umishio Hiroshi, Matsui Takuya, Matsubara Koji]
通讯作者：
Matsubara Koji
Plasma-induced electronic defects: formation and recovery kinetics in silicon
等离子体引起的电子缺陷：硅中的形成和恢复动力学
等离子体引起的电子缺陷：硅中的形成和恢复动力学
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高垣マユミ, 吉村麻奈美, 牛島順子, 田爪宏二, 田島充士, 濱口佳和・金子楓, 岩佐康弘，杉村知美，田爪宏二, 布村 正太他, 金子楓・濱口佳和, 田島充士, 布村 正太]
通讯作者：
布村 正太
プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～結晶シリコン内の水素と欠陥～
等离子体引起的缺陷的产生和修复〜氢和晶体硅中的缺陷〜
等离子体引起的缺陷的产生和修复〜氢和晶体硅中的缺陷〜
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[布村 正太, 坂田 功, 松原 浩司]
通讯作者：
松原 浩司
プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～結晶シリコン上でのモニタリング～
等离子体引起的缺陷的产生和修复〜晶体硅的监测〜
等离子体引起的缺陷的产生和修复〜晶体硅的监测〜
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[布村 正太, 坂田 功, 松原 浩司]
通讯作者：
松原 浩司
共 25 条
Generation and annihilation mechanisms of plasma-induced defects on semiconductor surface
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批准号：15K04717
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.24万
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财政年份：2015
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负责人：Nunomura Shota
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依托单位：
海外基金