Hydrogen-mediated defect passivation of semiconductor materials during plasma processing
等离子体处理过程中氢介导的半导体材料缺陷钝化
基本信息
- 批准号:18K03603
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(29)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
In-situ detection of interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction during plasma processing
等离子体处理过程中 a-Si:H/c-Si 异质结界面缺陷的原位检测
- DOI:10.7567/1882-0786/ab128b
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji
- 通讯作者:Matsubara Koji
Roles of hydrogen atoms in p-type Poly-Si/SiOx passivation layer for crystalline silicon solar cell applications
氢原子在晶体硅太阳能电池应用 p 型多晶硅/SiOx 钝化层中的作用
- DOI:10.7567/1347-4065/ab14fe
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Lozac’h Mickael;Nunomura Shota;Umishio Hiroshi;Matsui Takuya;Matsubara Koji
- 通讯作者:Matsubara Koji
Plasma-induced electronic defects: formation and recovery kinetics in silicon
等离子体引起的电子缺陷:硅中的形成和恢复动力学
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高垣マユミ;吉村麻奈美;牛島順子;田爪宏二;田島充士;濱口佳和・金子楓;岩佐康弘,杉村知美,田爪宏二;布村 正太他;金子楓・濱口佳和;田島充士;布村 正太
- 通讯作者:布村 正太
プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ~結晶シリコン内の水素と欠陥~
等离子体引起的缺陷的产生和修复〜氢和晶体硅中的缺陷〜
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:布村 正太;坂田 功;松原 浩司
- 通讯作者:松原 浩司
プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ~結晶シリコン上でのモニタリング~
等离子体引起的缺陷的产生和修复〜晶体硅的监测〜
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:布村 正太;坂田 功;松原 浩司
- 通讯作者:松原 浩司
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Nunomura Shota其他文献
バフチンーヤクビンスキー理論の実践的な解釈可能性:教育実践研究を事例として 田島充士(編)『ダイアローグのことばとモノローグのことば:ヤクビンスキー論からみたバフチンの対話理論』pp.244-260
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- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Lozac’h Mickael;Nunomura Shota;Umishio Hiroshi;Matsui Takuya;Matsubara Koji;関口雄一・濱口佳和;田島充士 - 通讯作者:
田島充士
対話理論の立場から:バフチンが射程とする内的社会としての意識と異文化間交流 能智正博・大橋靖史(編)『ソーシャル・コンストラクショニズムと対人支援の心理学:理論・研究・実践のために』(pp.64-78)
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- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Lozac'h Mickael;Nunomura Shota;Matsubara Koji;濱口佳和 ・渡邉健蔵;濱口佳和;田島充士 - 通讯作者:
田島充士
親の能動的・反応的攻撃性 と共感性が 養育行動及び児童の攻撃行動に示す関連性の検討
检验父母主动/反应性攻击行为和养育行为同理心与儿童攻击行为之间的关系
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji;小学生の親の能動的・反応的攻撃性と共感性が養育行動に与える影響の検討;濱口佳和 - 通讯作者:
濱口佳和
父母の虐待的養育行動が児童の社会的行動に及ぼす影響1ー小学生保護者用養育行動尺度(改訂版)「肯定的養育行動尺度」の構成
父母虐待性教养行为对孩子社会行为的影响1——小学生家长教养行为量表(修订版)《积极教养行为量表》的结构
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji;濱口佳和・廣瀬愛希子・金子楓 - 通讯作者:
濱口佳和・廣瀬愛希子・金子楓
CR Killing作用素とBernstein-Gelfand-Gelfand構成
CR Killing 算子和 Bernstein-Gelfand-Gelfand 配置
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nunomura Shota;Sakata Isao;Sakakita Hajime;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu;松本佳彦 - 通讯作者:
松本佳彦
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Generation and annihilation mechanisms of plasma-induced defects on semiconductor surface
半导体表面等离子体诱导缺陷的产生与消灭机制
- 批准号:
15K04717 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
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III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
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- 资助金额:
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- 资助金额:
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Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
半導体ナノ構造と原子スケール欠陥による非線形光学応答の第一原理計算に基づく研究
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- 批准号:
24K06922 - 财政年份:2024
- 资助金额:
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価電子帯上端が反結合性軌道からなる三元系銅ハライドの探索:欠陥耐性半導体として
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- 批准号:
23K23050 - 财政年份:2024
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结合高速机器学习和半导体晶体点缺陷分析来开发原子间势
- 批准号:
23K04604 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
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価電子帯上端が反結合性軌道からなる三元系銅ハライドの探索:欠陥耐性半導体として
寻找价带顶部具有反键轨道的三元卤化铜:作为容错半导体
- 批准号:
22H01782 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
次世代パワー半導体β-Ga2O3の固有欠陥準位の全容解明
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- 批准号:
22K04206 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
多元系エピタキシャル半導体薄膜を用いた多様な欠陥の評価と制御
使用多组分外延半导体薄膜评估和控制各种缺陷
- 批准号:
21H01833 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)














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