Hydrogen-mediated defect passivation of semiconductor materials during plasma processing

等离子体处理过程中氢介导的半导体材料缺陷钝化

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In-situ detection of interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction during plasma processing
等离子体处理过程中 a-Si:H/c-Si 异质结界面缺陷的原位检测
  • DOI:
    10.7567/1882-0786/ab128b
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji
  • 通讯作者:
    Matsubara Koji
Roles of hydrogen atoms in p-type Poly-Si/SiOx passivation layer for crystalline silicon solar cell applications
氢原子在晶体硅太阳能电池应用 p 型多晶硅/SiOx 钝化层中的作用
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab14fe
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Lozac’h Mickael;Nunomura Shota;Umishio Hiroshi;Matsui Takuya;Matsubara Koji
  • 通讯作者:
    Matsubara Koji
Plasma-induced electronic defects: formation and recovery kinetics in silicon
等离子体引起的电子缺陷:硅中的形成和恢复动力学
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高垣マユミ;吉村麻奈美;牛島順子;田爪宏二;田島充士;濱口佳和・金子楓;岩佐康弘,杉村知美,田爪宏二;布村 正太他;金子楓・濱口佳和;田島充士;布村 正太
  • 通讯作者:
    布村 正太
プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ~結晶シリコン内の水素と欠陥~
等离子体引起的缺陷的产生和修复〜氢和晶体硅中的缺陷〜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    布村 正太;坂田 功;松原 浩司
  • 通讯作者:
    松原 浩司
プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ~結晶シリコン上でのモニタリング~
等离子体引起的缺陷的产生和修复〜晶体硅的监测〜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    布村 正太;坂田 功;松原 浩司
  • 通讯作者:
    松原 浩司
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Nunomura Shota其他文献

バフチンーヤクビンスキー理論の実践的な解釈可能性:教育実践研究を事例として 田島充士(編)『ダイアローグのことばとモノローグのことば:ヤクビンスキー論からみたバフチンの対話理論』pp.244-260
巴赫金-雅库宾斯基理论的实践解释:以教育实践研究为例田岛光志(主编)《对话词与独白词:雅库宾斯基理论视角下的巴赫金对话理论》,第244-260页
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Lozac’h Mickael;Nunomura Shota;Umishio Hiroshi;Matsui Takuya;Matsubara Koji;関口雄一・濱口佳和;田島充士
  • 通讯作者:
    田島充士
対話理論の立場から:バフチンが射程とする内的社会としての意識と異文化間交流 能智正博・大橋靖史(編)『ソーシャル・コンストラクショニズムと対人支援の心理学:理論・研究・実践のために』(pp.64-78)
从对话理论的角度看:巴赫金对内在社会意识和跨文化交流的关注 野地正宏和大桥靖(编) 社会建构主义和人际支持心理学:理论、研究和实践(第64-78页)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Lozac'h Mickael;Nunomura Shota;Matsubara Koji;濱口佳和 ・渡邉健蔵;濱口佳和;田島充士
  • 通讯作者:
    田島充士
親の能動的・反応的攻撃性 と共感性が 養育行動及び児童の攻撃行動に示す関連性の検討
检验父母主动/反应性攻击行为和养育行为同理心与儿童攻击行为之间的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji;小学生の親の能動的・反応的攻撃性と共感性が養育行動に与える影響の検討;濱口佳和
  • 通讯作者:
    濱口佳和
父母の虐待的養育行動が児童の社会的行動に及ぼす影響1ー小学生保護者用養育行動尺度(改訂版)「肯定的養育行動尺度」の構成
父母虐待性教养行为对孩子社会行为的影响1——小学生家长教养行为量表(修订版)《积极教养行为量表》的结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji;濱口佳和・廣瀬愛希子・金子楓
  • 通讯作者:
    濱口佳和・廣瀬愛希子・金子楓
CR Killing作用素とBernstein-Gelfand-Gelfand構成
CR Killing 算子和 Bernstein-Gelfand-Gelfand 配置
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nunomura Shota;Sakata Isao;Sakakita Hajime;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu;松本佳彦
  • 通讯作者:
    松本佳彦

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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