Generation and annihilation mechanisms of plasma-induced defects on semiconductor surface
Generation and annihilation mechanisms of plasma-induced defects on semiconductor surface
半导体表面等离子体诱导缺陷的产生与消灭机制
批准号：
15K04717
负责人：
Nunomura Shota
金额：
$3.24万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Science and Technology of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for High-Efficiency Silicon Solar Cells: Introduction
高效硅太阳能电池等离子体增强化学气相沉积科学与技术：简介
高效硅太阳能电池等离子体增强化学气相沉积科学与技术：简介
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
J. Plasma Fusion Res.
影响因子：
--
作者：
[S. Nunomura, I. Sakata, K. Matsubara, S. Nunomura]
通讯作者：
S. Nunomura
EFFECTS OF CARRIER TRAPPING ON SOLAR CELL PERFORMANCES
载流子捕获对太阳能电池性能的影响
载流子捕获对太阳能电池性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shota Nunomura, Isao Sakata, and Koji Matsubara]
通讯作者：
and Koji Matsubara
シリコン PECVD 中の膜評価
硅 PECVD 期间的薄膜评估
硅 PECVD 期间的薄膜评估
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Nunomura, I. Sakata, K. Matsubara, S. Nunomura, S. Nunomura, 布村正太]
通讯作者：
布村正太
Optoelectronic properties of a-Si:H passivation layer for high-efficiency silicon heterojunction solar cells
高效硅异质结太阳能电池a-Si:H钝化层的光电特性
高效硅异质结太阳能电池a-Si:H钝化层的光电特性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shota Nunomura, Isao Sakata, and Koji Matsubara]
通讯作者：
and Koji Matsubara
Experimental and simulation study on hydrogen atom kinetics in low-pressure capacitively coupled plasmas
低压电容耦合等离子体中氢原子动力学实验与模拟研究
低压电容耦合等离子体中氢原子动力学实验与模拟研究
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shota Nunomura, Hirotaka Katayama and Isao Yoshida]
通讯作者：
Hirotaka Katayama and Isao Yoshida
共 26 条
Hydrogen-mediated defect passivation of semiconductor materials during plasma processing
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批准号：18K03603
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2018
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负责人：Nunomura Shota
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依托单位：
海外基金