Generation and annihilation mechanisms of plasma-induced defects on semiconductor surface
半导体表面等离子体诱导缺陷的产生与消灭机制
基本信息
- 批准号:15K04717
- 负责人:
- 金额:$ 3.24万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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Science and Technology of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for High-Efficiency Silicon Solar Cells: Introduction
高效硅太阳能电池等离子体增强化学气相沉积科学与技术:简介
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Nunomura;I. Sakata;K. Matsubara;S. Nunomura
- 通讯作者:S. Nunomura
EFFECTS OF CARRIER TRAPPING ON SOLAR CELL PERFORMANCES
载流子捕获对太阳能电池性能的影响
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shota Nunomura;Isao Sakata;and Koji Matsubara
- 通讯作者:and Koji Matsubara
シリコン PECVD 中の膜評価
硅 PECVD 期间的薄膜评估
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Nunomura;I. Sakata;K. Matsubara;S. Nunomura;S. Nunomura;布村正太
- 通讯作者:布村正太
Optoelectronic properties of a-Si:H passivation layer for high-efficiency silicon heterojunction solar cells
高效硅异质结太阳能电池a-Si:H钝化层的光电特性
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shota Nunomura;Isao Sakata;and Koji Matsubara
- 通讯作者:and Koji Matsubara
Experimental and simulation study on hydrogen atom kinetics in low-pressure capacitively coupled plasmas
低压电容耦合等离子体中氢原子动力学实验与模拟研究
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shota Nunomura;Hirotaka Katayama and Isao Yoshida
- 通讯作者:Hirotaka Katayama and Isao Yoshida
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Nunomura Shota其他文献
バフチンーヤクビンスキー理論の実践的な解釈可能性:教育実践研究を事例として 田島充士(編)『ダイアローグのことばとモノローグのことば:ヤクビンスキー論からみたバフチンの対話理論』pp.244-260
巴赫金-雅库宾斯基理论的实践解释:以教育实践研究为例田岛光志(主编)《对话词与独白词:雅库宾斯基理论视角下的巴赫金对话理论》,第244-260页
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Lozac’h Mickael;Nunomura Shota;Umishio Hiroshi;Matsui Takuya;Matsubara Koji;関口雄一・濱口佳和;田島充士 - 通讯作者:
田島充士
対話理論の立場から:バフチンが射程とする内的社会としての意識と異文化間交流 能智正博・大橋靖史(編)『ソーシャル・コンストラクショニズムと対人支援の心理学:理論・研究・実践のために』(pp.64-78)
从对话理论的角度看:巴赫金对内在社会意识和跨文化交流的关注 野地正宏和大桥靖(编) 社会建构主义和人际支持心理学:理论、研究和实践(第64-78页)
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Lozac'h Mickael;Nunomura Shota;Matsubara Koji;濱口佳和 ・渡邉健蔵;濱口佳和;田島充士 - 通讯作者:
田島充士
親の能動的・反応的攻撃性 と共感性が 養育行動及び児童の攻撃行動に示す関連性の検討
检验父母主动/反应性攻击行为和养育行为同理心与儿童攻击行为之间的关系
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji;小学生の親の能動的・反応的攻撃性と共感性が養育行動に与える影響の検討;濱口佳和 - 通讯作者:
濱口佳和
父母の虐待的養育行動が児童の社会的行動に及ぼす影響1ー小学生保護者用養育行動尺度(改訂版)「肯定的養育行動尺度」の構成
父母虐待性教养行为对孩子社会行为的影响1——小学生家长教养行为量表(修订版)《积极教养行为量表》的结构
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji;濱口佳和・廣瀬愛希子・金子楓 - 通讯作者:
濱口佳和・廣瀬愛希子・金子楓
CR Killing作用素とBernstein-Gelfand-Gelfand構成
CR Killing 算子和 Bernstein-Gelfand-Gelfand 配置
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nunomura Shota;Sakata Isao;Sakakita Hajime;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu;松本佳彦 - 通讯作者:
松本佳彦
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Hydrogen-mediated defect passivation of semiconductor materials during plasma processing
等离子体处理过程中氢介导的半导体材料缺陷钝化
- 批准号:
18K03603 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针,带有基于有机半导体的多模态传感器,用于闭环神经调节
- 批准号:
2336525 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase II: Innovative Glass Inspection for Advanced Semiconductor Packaging
SBIR 第二阶段:先进半导体封装的创新玻璃检测
- 批准号:
2335175 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Cooperative Agreement
電極積層構造制御による二次元半導体のショットキー障壁制御
通过控制电极堆叠结构控制二维半导体中的肖特基势垒
- 批准号:
24KJ0622 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ポテンシャルを精密に制御した半導体量子井戸構造中の熱電子冷却に関する研究
电势精确控制的半导体量子阱结构热电子冷却研究
- 批准号:
24KJ0678 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体用放熱材への応用を考慮した高熱伝導性高分子液晶の創成と熱伝導機構の解明
考虑用作半导体散热材料的高导热聚合物液晶的创建和热传导机制的阐明
- 批准号:
24K08082 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体量子ドットの電子・核スピン相関時間と四極子効果の変調による核偏極の自在制御
通过调制半导体量子点中电子/核自旋相关时间和四极效应自由控制核极化
- 批准号:
24K08189 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
テラヘルツ波で駆動する半導体及び遷移金属のスピン流の時空間分解観測と精密測定
太赫兹波驱动的半导体和过渡金属自旋电流的时空分辨观测和精确测量
- 批准号:
24KJ0572 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
薄膜半導体による高エネルギー量子ビーム計測の新展開
利用薄膜半导体进行高能量子束测量的新进展
- 批准号:
24K07078 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体量子ドット集合系での超蛍光発生機構における量子揺らぎの観測と制御
半导体量子点组装系统中超荧光产生机制中量子涨落的观测与控制
- 批准号:
24K06929 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Thermal engineering in semiconductor heterojunction for space transducers
空间换能器半导体异质结的热工程
- 批准号:
DP240102230 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 3.24万 - 项目类别:
Discovery Projects














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