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High quality Ge-based transistor using epitaxially grown high-k gate insulators

High quality Ge-based transistor using epitaxially grown high-k gate insulators
使用外延生长的高 k 栅极绝缘体的高质量 Ge 基晶体管
批准号：
18K04235
负责人：
Kanashima Takeshi
金额：
$2.83万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04235/
关键词：
Ge-MISFETLa2O3原子マッチング結晶転位接触角ラジカル処理エピタキシャル絶縁膜基板欠陥La2O2直接接合エピタキシャルゲート絶縁膜パルスレーザ蒸着法界面準位密度低温成長high-k/Geゲルマニウム半導体エピタキシャル成長界面

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碘溶液处理Ge基体表面刻蚀
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
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通讯作者： 金島 岳
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发表时间： 2020
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通讯作者： 金島 岳
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发表时间： 2018
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影响因子： --
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通讯作者： 金島 岳
国内基金
海外基金
基于 La2O3 功函数调控的空穴传输层构筑及其光电催化 分解水性能研究
  • 批准号：
    2024JJ6422
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2024
  • 负责人：
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  • 依托单位：
    湘潭大学
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  • 批准号：
    52361040
  • 项目类别：
    地区科学基金项目
  • 资助金额：
    32万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    张荣斌
  • 依托单位：
    南昌大学
低反应性含La2O3渣电渣重熔制备均质化H13钢的基础研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
  • 依托单位：
    武汉工程大学
Ag和La2O3晶内改性Mo-Si-B自润滑涂层的构筑及其宽温域摩擦学行为
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    58万元
  • 批准年份：
    2021
  • 负责人：
    颜建辉
  • 依托单位：
    湖南科技大学