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High quality Ge-based transistor using epitaxially grown high-k gate insulators

使用外延生长的高 k 栅极绝缘体的高质量 Ge 基晶体管

基本信息

批准号：
18K04235
负责人：
Kanashima Takeshi
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04235/
关键词：
Ge-MISFET La2O3 原子マッチング結晶転位接触角ラジカル処理エピタキシャル絶縁膜基板欠陥 La2O2 直接接合エピタキシャルゲート絶縁膜パルスレーザ蒸着法界面準位密度低温成長 high-k/Ge ゲルマニウム半導体エピタキシャル成長界面

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（4）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Ge基板のヨウ素溶液処理による表面エッチング

碘溶液处理Ge基体表面刻蚀

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
森悠;濱地威明;阿保智;酒井朗;金島岳
通讯作者：
金島岳

Ge基板表面処理における接触角とMIS電気特性

Ge基体表面处理中的接触角和MIS电学性能

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
高山祐太郎;森悠;金島岳
通讯作者：
金島岳

Improvement of Interface Properties of Ge-MISFET with Crystalline La2O3 High-k/Ge(111) Gate Stacks by Wet Treatment

湿法处理改善 Ge-MISFET 与结晶 La2O3 High-k/Ge(111) 栅堆叠的界面性能

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Kanashima;H. Furusho;K. Takayama;H. Nohira;K. Yamamoto;H. Nakashima
通讯作者：
H. Nakashima

溶液処理による結晶Lu-Doped La2O3/Ge(111) MIS界面特性改善

通过固溶处理改善晶态 Lu 掺杂 La2O3/Ge(111) MIS 界面性能

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
古荘仁久;高山恭一;山本圭介;中島寛;野平博司;金島岳
通讯作者：
金島岳

DOI：
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作者：
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Kanashima Takeshi其他文献

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InAs 纳米线混合结中 Andreev 态的微波光谱

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Naito Takahiro;Yamada Michihiro;Yamada Shinya;Kanashima Takeshi;Sawano Kentarou;Hamaya Kohei;Patrick Zellekens;Taro Yamashita;Patrick Zellekens
通讯作者：
Patrick Zellekens

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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
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通讯作者：
Patrick Zellekens

Inverse local magnetoresistance effect up to room temperature in ferromagnet-semiconductor lateral spin-valve devices

铁磁体半导体横向自旋阀器件中室温下的逆局部磁阻效应

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4.1
作者：
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DOI：
发表时间：
2022
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影响因子：
0
作者：
Naito Takahiro;Yamada Michihiro;Yamada Shinya;Kanashima Takeshi;Sawano Kentarou;Hamaya Kohei;Patrick Zellekens
通讯作者：
Patrick Zellekens

Novel ferromagnet/superconductor hybrid quantum devices

新型铁磁体/超导混合量子器件

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Naito Takahiro;Yamada Michihiro;Yamada Shinya;Kanashima Takeshi;Sawano Kentarou;Hamaya Kohei;Patrick Zellekens;Taro Yamashita
通讯作者：
Taro Yamashita