Formation and characterization of La2O3 gate dielectrics formed using by metalorganic CVD

使用金属有机 CVD 形成 La2O3 栅极电介质的形成和表征

• 批准号: 19760219
• 负责人: MURAKAMI Hideki
• 金额: $ 2.27万
• 依托单位: Hiroshima University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760219/
• 关键词: 有機金属錯体; ゲート絶縁膜; 高誘電率絶縁膜; ALCVD; 高誘電率ゲート絶縁膜; MOCVD

La(TMOD)3を用いて、Pt層上にLa酸化膜を堆積し、XPSを用いて化学構造を評価した。La(TMOD)3とO2を同時供給した場合(O2分圧:〜60Pa)、La酸化膜厚は、基板温度の上昇および堆積時間の増加に伴い、増大する。O2の同時供給を行わず基板温度200℃でLa酸化膜を堆積した場合、供給時間に依らず、La酸化膜厚は一定であり、前駆体の飽和吸着が確認された。また、飽和吸着後、150℃以上のO2アニールにより、La酸化膜表面を終端しているCOxHyおよび膜中残留炭素の除去に有効であることが分かった。La(TMOD)3による飽和吸着とO2アニールを交互に繰り返すことで、原子層レベルでの膜厚制御が可能であることが示唆された。

La(TMOD)3 was deposited on the Pt layer, and XPS was used to evaluate the chemical structure. When La(TMOD)3 and O2 are supplied simultaneously (O2 partial pressure: ~ 60Pa), the thickness of La acidified film increases, the temperature rise of substrate increases, and the deposition time increases. When O2 is supplied simultaneously, the substrate temperature is 200℃, the La acidified film is deposited, the supply time is determined, the La acidified film thickness is determined, and the saturation adsorption of the precursor is confirmed. After saturation adsorption, the surface of La acidified film is terminated at 150℃ or above, and the residual carbon in the film is removed. La(TMOD)3 saturation adsorption O2 interaction, atomic layer thickness control is possible.

项目成果

La-Oxide Thin Films Formed by MOCVD Using La(TMOD)3

使用 La(TMOD)3 通过 MOCVD 形成 La-氧化物薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: R. Yougauchi;A. Ohta;H. Murakami;S. Higashi;S. Miyazaki
• 通讯作者: S. Miyazaki

La(TMOD)3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成

使用 La(TMOD)3 通过 MOCVD 形成 La 氧化物薄膜

• 发表时间: 2009
• 作者: 大野宗一;松浦清隆;大野宗一;大野宗一;要垣内亮,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
• 通讯作者: 要垣内亮,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一

The Impact of Post Deposition NH_3-Anneal on La Oxide Films Formed by MOCVD Using La(DPM)3

沉积后NH_3退火对La(DPM)3 MOCVD形成La氧化膜的影响

• 发表时间: 2007
• 作者: R;Yougauchi;K. Makihara;大田 晃生;門島 勝;三浦 真嗣;奥山 一樹;大田 晃生;大田 晃生;大田 晃生;A. Ohta;Akio Ohta;A. Ohta;S. Miyazaki;三浦 真嗣;吉永 博路;H. Yoshinaga;要垣内 亮;R. Yougauchi
• 通讯作者: R. Yougauchi

La-Oxide Thin Films Formed by MOCVD Using La(TMOD)_3

使用 La(TMOD)_3 通过 MOCVD 形成 La-氧化物薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: R. Yougauchi;A. Ohta;H. Murakami;S. Higashi;S. Miyazaki
• 通讯作者: S. Miyazaki

La-DPM錯体を用いたMOCVDによるLa系酸化薄膜形成とNH3熱処理効果

利用La-DPM络合物和NH3热处理效应通过MOCVD形成La基氧化物薄膜

• 发表时间: 2007
• 作者: R. Yougauchi;A. Ohta;Y. Munetaka;H. Murakami;S. Higashi;S. Miyazaki;要垣内亮,大田晃生,宗高勇気,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
• 通讯作者: 要垣内亮,大田晃生,宗高勇気,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一