Development of an optically-gated GaN power device
Development of an optically-gated GaN power device
光门控GaN功率器件的开发
批准号：
18K04281
负责人：
Omori Masato
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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会议论文
窒化物半導体装置の製造方法
氮化物半导体器件的制造方法
氮化物半导体器件的制造方法
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
GaN フォトトランジスタにおける光照射特性の評価
GaN光电晶体管的光照射特性评估
GaN光电晶体管的光照射特性评估
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[和田竜垂, 白石舞翔, 宮崎泰成, 大森雅登]
通讯作者：
大森雅登
縦型GaNフォトトランジスタの特性評価
垂直GaN光电晶体管的特性评估
垂直GaN光电晶体管的特性评估
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[和田竜垂, 白石舞翔, 宮崎泰成, 大森雅登]
通讯作者：
大森雅登
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