权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Growth of Nano graphene with controlling the edge structure

控制边缘结构的纳米石墨烯生长

基本信息

批准号：
18K04881
负责人：
小幡誠司
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Okayama University (2019-2022)The University of Tokyo (2018)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

今年度は、グラフェン作製の基板として用いる六方晶窒化ホウ素(h-BN)の簡便で大量生産可能な薄膜化手法の開発に注力した。昨年度までは、ボールミルによる機械的な粉砕を試みた。薄膜化には成功していたが、シートサイズが小さくなってしまう点、作製した厚みにバラつきが生じてしまうという課題があった。そこで、本年度は正確な厚みの制御と大量生産を目指し、ミクロトームによる剥離を試みた。ミクロトームは透過電子顕微鏡用の試料などの薄膜作製に用いられる装置で、正確な厚みで物質を切り出せる特徴がある。本年度はその装置をh-BNの薄膜化に用いた。粉末のh-BNだけでは、ミクロトームに固定化できないため、様々な固定化用の材料(ポリメタクリル酸メチル、エポキシ樹脂、金属、氷など)と混合し、最適な材料・混合比を検討した。ポリマーを用いた場合には容易に切断することが可能であり、nm オーダーの厚みで切断可能であること見出した。その後、デバイスへの応用を熱酸化膜付きシリコン基板へ転写を行った。その際、ポリマーの溶解法により、基板上に転写できるh-BN薄膜の量に大きな差がでることがわかった。基板と切り出した剥片の密着性を向上させるために、ポリマー溶解前に加熱することが特に重要である。この手法により、h-BN薄膜を大量に基板上に生成することが可能となった。この手法の利点としては、任意の基板に転写が可能である点、ポリマーとの混合時にh-BNの積層方向と切断面が垂直になるように整列するために、切断方向が剥離したい方向と一致している点である。今後はこの大量生産したh-BN薄膜上に酸化グラフェンを成膜し、還元・修復を行うことでグラフェン/h-BNの大量生産を行う。

This year, we are focusing on the development of a thin-film technology that is simple and easy to mass-produce using hexagonal hexagonal crystal nitride (h-BN) as the base material for our production this year. Last year, I tried the powder grinding machine of までは and ボールミルによる machine. Thin-film formation has been successful. Points and productions are made with thick and thick textures.そこで, this year's はcorrect and thick みのcontrol とmass production を Eyes refers to し, ミクロトームによる peeling をtrial みた. The ミクロトームは through electron microscope is used to make the sample thin film using the いられる device, and the correct thickness of the material is cut out and the せる特徴がある is used. This year's equipment is used for thin film processing of h-BN. Powder のh-BN だけでは, ミクロトームに fixed できないため, 様々な fixed material (ポリメThe タクリル acid メチル, エポキシ resin, metal, ice など) and mixed し, optimal な material・mixing ratio を検した.ポリマーを Use いた occasion には easy to cut することが possible であり, nm オーダーの thick みで cutting possible であること见出した.その后、デバイスへの応用をThermo-acidified film and きシリコン substrate are written in を行った.その记, ポリマーのDissolution method により, に転Write できるh-BN film on the substrate に大きな difference がでることがわかった. It is important to ensure the adhesion of the substrate after cutting and peeling it off, and to heat the substrate before dissolving it. It is possible to produce a large amount of h-BN film on a substrate using this technique. The advantage of this method is the advantage of the method, the possibility of writing on any substrate is the advantage, and the lamination method of h-BN is the mixing time of the The cutting surface is perpendicular to the straight line, the cutting direction is peeling, and the cutting direction is consistent. In the future, we will mass-produce acidified silica film on h-BN film and restore and repair it.