Fabrication of Metal-Doped-AlN Piezoelectric Nanorod and Investigation on the Properties
Fabrication of Metal-Doped-AlN Piezoelectric Nanorod and Investigation on the Properties
金属掺杂AlN压电纳米棒的制备及性能研究
批准号：
18K04918
负责人：
Uehara Masato
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(9)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Preparation of Yb-doped AlN Piezoelectric Thin Film
掺镱AlN压电薄膜的制备
掺镱AlN压电薄膜的制备
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Miyatake Tomonori, Shibutani Sho, Hamada Kyohei, Gouchi Jun, Uwatoko Yoshiya, Wakiya Kazuhei, Umehara Izuru, Uehara Masatomo, Masato Uehara et al.]
通讯作者：
Masato Uehara et al.
ウルツ鉱型窒化物への元素添加による圧電材料の開発
在纤锌矿氮化物中添加元素开发压电材料
在纤锌矿氮化物中添加元素开发压电材料
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Yokota, R. Watanuki, M. Nakashima, M. Uehara, J. Gouchi, Y. Uwatoko and I. Umehara, 上原雅人]
通讯作者：
上原雅人
元素添加によるAlN系圧電薄膜の開発
添加元素的AlN基压电薄膜的开发
添加元素的AlN基压电薄膜的开发
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Christivana Mega, Obata Masao, Oda Tatsuki, 上原雅人]
通讯作者：
上原雅人
Preparation of YbAlN piezoelectric thin film by sputtering and influence of Yb concentration on properties and crystal structure
溅射法制备YbAlN压电薄膜及Yb浓度对性能和晶体结构的影响
溅射法制备YbAlN压电薄膜及Yb浓度对性能和晶体结构的影响
DOI：
10.1016/j.ceramint.2021.02.177
发表时间：
2021
期刊：
Ceramics International
影响因子：
5.2
作者：
[Uehara Masato, Amano Yuki, Anggraini Sri Ayu, Hirata Kenji, Yamada Hiroshi, Akiyama Morito]
通讯作者：
Akiyama Morito
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kaori Yokota, Miki Nakashima1, Minami Kimura, Masatomo Uehara, Jun Gouchi, Yoshiya Uwatoko, Izuru Umehara, Masato Uehara et al., Masato Uehara et al.]
通讯作者：
Masato Uehara et al.
共 8 条
Optical Properties Evaluation of Individual Nano Phosphors and Investigation of Relationship with Particle Structure using Transmission Electron Microscope
-
批准号：26286026
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$10.4万
-
财政年份：2014
-
负责人：Uehara Masato
-
依托单位：
海外基金