Realization of wide bandgap p-type oxide semiconductor by mist CVD method and device application

雾气CVD法实现宽带隙p型氧化物半导体及器件应用

基本信息

  • 批准号：
    18K13788
  • 负责人：
    IKENOUE Takumi
  • 金额：
    $ 2.66万
  • 依托单位：
    Kyoto University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份：
    2018
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2018-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（11）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Hole mobility improvement in Cu2O thin films prepared by the mist CVD method
  • DOI：
    10.7567/1882-0786/ab15b3
  • 发表时间：
    2019-04
  • 期刊：
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Takumi Ikenoue;T. Kawai;Ryo Wakashima;M. Miyake;T. Hirato
  • 通讯作者：
    Takumi Ikenoue;T. Kawai;Ryo Wakashima;M. Miyake;T. Hirato
Growth and characterization of p-type oxide semiconductor thin films by using mist CVD method.
雾气CVD法p型氧化物半导体薄膜的生长与表征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takumi Ikenoue;Toshikazu Kawai;Ryo Wakashima;Junki Inoue;Satoshi Yoneya;Masao Miyake;and Tetsuji Hirato
  • 通讯作者：
    and Tetsuji Hirato
Epitaxial Growth and Band-Gap Control of Ni1-xMgxO Thin Film by Using Mist CVD Method
雾气CVD法Ni1-xMgxO薄膜的外延生长及带隙控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takumi Ikenoue;Masao Miyake;and Tetsuji Hirato
  • 通讯作者：
    and Tetsuji Hirato
ミストCVD法によるMgO基板上へのNiO薄膜のエピタキシャル成長
雾气CVD法在MgO衬底上外延生长NiO薄膜
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    滝野天琴;池之上卓己;三宅正男;平藤哲司
  • 通讯作者：
    平藤哲司
Carrier density control of epitaxial NiO thin films grown using mist CVD method
雾气CVD法生长外延NiO薄膜的载流子密度控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takumi Ikenoue;Masao Miyake;and Tetsuji Hirato
  • 通讯作者：
    and Tetsuji Hirato
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