课题基金 / 基金详情

Realization of wide bandgap p-type oxide semiconductor by mist CVD method and device application

Realization of wide bandgap p-type oxide semiconductor by mist CVD method and device application
雾气CVD法实现宽带隙p型氧化物半导体及器件应用
批准号：
18K13788
负责人：
IKENOUE Takumi
金额：
$2.66万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K13788/
关键词：
ワイドバンドギャップ半導体p型酸化物半導体酸化ニッケルミストCVD法p型ワイドギャップ半導体NiMgOp型酸化物ワイドバンドギャップ

项目摘要

项目成果

IKENOUE Takumi的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(11)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Hole mobility improvement in Cu2O thin films prepared by the mist CVD method
DOI： 10.7567/1882-0786/ab15b3
发表时间： 2019-04
期刊： Applied Physics Express
影响因子： 2.3
作者： [Takumi Ikenoue;T. Kawai;Ryo Wakashima;M. Miyake;T. Hirato]
通讯作者： Takumi Ikenoue;T. Kawai;Ryo Wakashima;M. Miyake;T. Hirato
Growth and characterization of p-type oxide semiconductor thin films by using mist CVD method.
雾气CVD法p型氧化物半导体薄膜的生长与表征
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Takumi Ikenoue, Toshikazu Kawai, Ryo Wakashima, Junki Inoue, Satoshi Yoneya, Masao Miyake, and Tetsuji Hirato]
通讯作者： and Tetsuji Hirato
Epitaxial Growth and Band-Gap Control of Ni1-xMgxO Thin Film by Using Mist CVD Method
雾气CVD法Ni1-xMgxO薄膜的外延生长及带隙控制
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Takumi Ikenoue, Masao Miyake, and Tetsuji Hirato]
通讯作者： and Tetsuji Hirato
ミストCVD法によるMgO基板上へのNiO薄膜のエピタキシャル成長
雾气CVD法在MgO衬底上外延生长NiO薄膜
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [滝野天琴, 池之上卓己, 三宅正男, 平藤哲司]
通讯作者： 平藤哲司
共 10 条
    Thin film formation of refractory metals using mist CVD method
    • 批准号：
      15K14181
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      IKENOUE Takumi
    • 依托单位：
      Kyoto University
    Cu2ZnSn(O,S)4 thin film fabrication toward thin film solar cells by ultrasonic spray assisted mist deposition method
    海外基金