Cu2ZnSn(O,S)4 thin film fabrication toward thin film solar cells by ultrasonic spray assisted mist deposition method
超声波喷雾辅助雾沉积法制备薄膜太阳能电池Cu2ZnSn(O,S)4薄膜
基本信息
- 批准号:25870613
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Fabrication and characteristics of p-type Cu2O thin films by ultrasonic spray-assisted mist CVD method
超声喷雾辅助雾化CVD法制备p型Cu2O薄膜及其性能
- DOI:10.7567/jjap.53.05ff06
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Takumi Ikenoue;Shin-ichi Sakamoto;and Yoshitaka Inui
- 通讯作者:and Yoshitaka Inui
Fabrication and characterization of Cu2O, ZnO and ITO thin films toward oxide thin film solar cell by mist chemical vapor deposition method
- DOI:10.1002/pssc.201300638
- 发表时间:2014-07
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takumi Ikenoue;S. Sakamoto;Y. Inui
- 通讯作者:Takumi Ikenoue;S. Sakamoto;Y. Inui
ミスト CVD 法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製とミスト硫化法の効果
雾气CVD法制备Cu2ZnSnS4薄膜及雾气硫化法效果
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:池之上卓己;渡辺勇一郎;三宅正男;平藤哲司
- 通讯作者:平藤哲司
ミスト CVD 法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価
雾气CVD法Cu2ZnSnS4薄膜的制备与评价
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:渡辺勇一郎;池之上卓己;三宅正男;平藤哲司
- 通讯作者:平藤哲司
Fabrication and Characteristics of p-type Cu2O Thin Films toward Solar Cells by Ultrasonic Spray Assisted Mist CVD Method
超声喷雾辅助雾化CVD法制备太阳能电池p型Cu2O薄膜及其特性
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takumi Ikenoue;Shin-ichi Sakamoto;and Yoshitaka Inui
- 通讯作者:and Yoshitaka Inui
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('IKENOUE Takumi', 18)}}的其他基金
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$ 2.75万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
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