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Thin film formation of refractory metals using mist CVD method

Thin film formation of refractory metals using mist CVD method
使用雾气 CVD 法形成难熔金属薄膜
批准号：
15K14181
负责人：
IKENOUE Takumi
金额：
$2.5万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K14181/
关键词：
リフラクトリーメタルタングステンモリブデン炭化物ミストCVD法

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ミスト CVD 法による炭化モリブデン薄膜の成膜と評価
雾气CVD法碳化钼薄膜的沉积与评价
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [吉田拓司, 上野仁希, 池之上卓己, 三宅正男, 平藤哲司]
通讯作者： 平藤哲司
Realization of wide bandgap p-type oxide semiconductor by mist CVD method and device application
  • 批准号：
    18K13788
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额：
    $2.66万
  • 财政年份：
    2018
  • 负责人：
    IKENOUE Takumi
  • 依托单位：
    Kyoto University
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