Hydrogen Terminated Diamond MOSFETs by Hydrogen Containing Aluminum Oxide Thin Film

采用含氢氧化铝薄膜的氢封端金刚石 MOSFET

• 批准号: 18K13804
• 负责人: Fujii Mami
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Kindai University (2021)Nara Institute of Science and Technology (2018-2020)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K13804/
• 关键词: ダイヤモンド; 界面; 欠陥; トランジスタ; 電界効果トランジスタ; 界面欠陥密度; キャパシタ; 酸化アルミニウム; 水素終端; 原子層堆積

项目成果

多結晶ダイヤモンド表面の局所電気状態評価

聚晶金刚石表面局部电状态评价

• 发表时间: 2018
• 作者: 藤井 茉美;唐木 裕馬;宮越 雄太;Juan Paolo Bermundo;石河 泰明;浦岡 行治
• 通讯作者: 浦岡 行治

ダイヤモンドの水素終端２DHG表面の欠陥評価

金刚石氢封端2DHG表面的缺陷评估

• 发表时间: 2019
• 作者: Zhenzhou Cheng;T. -H. Xiao;Z. Zhao;W. Zhou;M. Takenaka;H. K. Tsang and K. Goda;藤井 茉美
• 通讯作者: 藤井 茉美

Bias stress and humidity exposure of amorphous InGaZnO thin-film transistors with atomic layer deposited Al2O3 passivation using dimethylaluminum hydride at 200 °C

使用二甲基氢化铝在 200 °C 下原子层沉积 Al2O3 钝化的非晶 InGaZnO 薄膜晶体管的偏置应力和湿度暴露

• DOI: 10.1088/1361-6463/ab6e97
• 发表时间: 2020
• 期刊: Journal of Physics D: Applied Physics
• 作者: Corsino Dianne C;Bermundo Juan Paolo S;Fujii Mami N;Takahashi Kiyoshi;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu
• 通讯作者: Uraoka Yukiharu

ダイヤモンド半導体素子に対する水素含有絶縁膜の効果

含氢绝缘膜对金刚石半导体器件的影响

• 发表时间: 2019
• 作者: Tomoyuki Tanaka;Christopher L. Ayala;Olivia Chen;Ro Saito;and Nobuyuki Yoshikawa;宮越 雄太，藤井 茉美，石河 泰明， 高橋 清，浦岡 行治
• 通讯作者: 宮越 雄太，藤井 茉美，石河 泰明， 高橋 清，浦岡 行治

Local atomic structure analysis of Al2O3/Diamond Interface by photoelectron holography

光电子全息法分析 Al2O3/金刚石界面的局域原子结构

• 发表时间: 2021
• 作者: Masaki Tanaka;M. N. Fujii;Y. Hashimoto;M. Uenuma;S. Koga;S. Takeuchi;Z. Sun;T. Tsuno;D. Yoshii;Y. Uraoka and T. Matsushita
• 通讯作者: Y. Uraoka and T. Matsushita