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Hydrogen Terminated Diamond MOSFETs by Hydrogen Containing Aluminum Oxide Thin Film

Hydrogen Terminated Diamond MOSFETs by Hydrogen Containing Aluminum Oxide Thin Film
采用含氢氧化铝薄膜的氢封端金刚石 MOSFET
批准号：
18K13804
负责人：
Fujii Mami
金额：
$2.66万
依托单位：
Kindai University (2021)Nara Institute of Science and Technology (2018-2020)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K13804/
关键词：
ダイヤモンド界面欠陥トランジスタ電界効果トランジスタ界面欠陥密度キャパシタ酸化アルミニウム水素終端原子層堆積

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多結晶ダイヤモンド表面の局所電気状態評価
聚晶金刚石表面局部电状态评价
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [藤井 茉美, 唐木 裕馬, 宮越 雄太, Juan Paolo Bermundo, 石河 泰明, 浦岡 行治]
通讯作者： 浦岡 行治
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DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 藤井　茉美
Bias stress and humidity exposure of amorphous InGaZnO thin-film transistors with atomic layer deposited Al2O3 passivation using dimethylaluminum hydride at 200 °C
使用二甲基氢化铝在 200 °C 下原子层沉积 Al2O3 钝化的非晶 InGaZnO 薄膜晶体管的偏置应力和湿度暴露
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发表时间： 2020
期刊： Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子： --
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DOI： --
发表时间： 2019
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影响因子： --
作者： [Tomoyuki Tanaka, Christopher L. Ayala, Olivia Chen, Ro Saito, and Nobuyuki Yoshikawa, 宮越 雄太，藤井 茉美，石河 泰明， 高橋 清，浦岡 行治]
通讯作者： 宮越 雄太，藤井 茉美，石河 泰明， 高橋 清，浦岡 行治
共 12 条
    国内基金
    海外基金
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    • 批准号：
    • 项目类别：
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    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      崔鹏
    • 依托单位：
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    • 批准号：
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    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
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    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      谭萼辉
    • 依托单位：
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