Formation mechanism of interface between metal and silicon-based materials via decomposition of silver oxide and its application
Formation mechanism of interface between metal and silicon-based materials via decomposition of silver oxide and its application
批准号:
18K14028
负责人:
Matsuda Tomoki
金额:
$2.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2018
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2018-04-01 至 2021-03-31
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酸化銀還元反応を用いた銀-シリコン基板接合プロセスの低温化
利用氧化银还原反应的低温银硅衬底键合工艺
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[川端玲, 松田朋己, 佐野智一, 廣瀬明夫]
通讯作者:
廣瀬明夫
SiC direct joining using silver oxide decomposition
利用氧化银分解进行 SiC 直接接合
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Tomoki Matsuda, Keita Motoyama, Kota Inami, Tomokazu Sano, Akio Hirose]
通讯作者:
Akio Hirose
酸化銀還元反応を利用した金属‐窒化ケイ素基板の接合
利用氧化银还原反应进行金属-氮化硅基板接合
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[川端玲, 松田朋己, 佐野智一, 廣瀬明夫]
通讯作者:
廣瀬明夫
酸化銀還元焼結による-シリコン基板直接合
氧化银还原烧结硅基板直接键合
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[松田朋己, 伊波康太, 佐野智一, 廣瀬明夫]
通讯作者:
廣瀬明夫
Formation Process of the Interface in the Ag/Si Joints by the Decomposition Reaction of Ag2O
Ag2O分解反应Ag/Si接头界面的形成过程
DOI:
10.7791/jspmee.8.177
发表时间:
2019
期刊:
Journal of Smart Processing
影响因子:
--
作者:
[MATSUDA Tomoki, INAMI Kota, MOTOYAMA Keita, SANO Tomokazu, HIROSE Akio]
通讯作者:
HIROSE Akio
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