Realization of the novel THz devices based on control of defects in dilute bismide III-V compound semiconductor superlattice
基于稀双胺III-V族化合物半导体超晶格缺陷控制的新型太赫兹器件的实现
基本信息
- 批准号:18K14140
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(16)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Growth conditions of low-temperature-grown GaAs1-xBix/低温成長GaAs1-xBixの成長条件
低温生长 GaAs1-xBix 的生长条件/低温生长 GaAs1-xBix 的生长条件
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Kitamura;K. Horiba;M. Kobayashi;E. Sakai;M. Minohara;R. Yukawa;D. Shiga;K. Amemiya;T. Nagai;Y. Nonaka;G. Shibata;A. Fujimori;H. Fujioka;and H. Kumigashira;堀田行紘,富永依里子,行宗詳規,藤原亮,石川史太郎
- 通讯作者:堀田行紘,富永依里子,行宗詳規,藤原亮,石川史太郎
(Late News) Solid-phase epitaxial growth of InxGa1-xAs on InP substrate
(最新消息)InxGa1-xAs在InP衬底上固相外延生长
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yukihiro Horita;Kentaro Hirayama;Yoriko Tominaga;Hitoshi Morioka;Noriaki Ikenaga;Osamu Ueda
- 通讯作者:Osamu Ueda
MBE成長条件が低温成長GaAs1-xBixのBi偏析に与える影響
MBE 生长条件对低温生长 GaAs1-xBix 中 Bi 偏析的影响
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Kitamura;K. Horiba;M. Minohara;R. Yukawa;D. Shiga;A. Toyoshima;H. Tanaka;Y. Nagatani;T. Kosuge;K. Amemiya;and H. Kumigashira;高垣佑斗,堀田行紘,富永依里子,行宗詳規,藤原亮,石川史太郎
- 通讯作者:高垣佑斗,堀田行紘,富永依里子,行宗詳規,藤原亮,石川史太郎
テラヘルツ波発生検出用光伝導アンテナの開発に向けた低温成長GaAs系混晶半導体の結晶性評価
低温生长 GaAs 基混合晶体半导体的结晶度评估,用于开发用于产生和检测太赫兹波的光电导天线
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yoriko Tominaga;Yutaka Kadoya;富永依里子
- 通讯作者:富永依里子
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Growth of InPBi on InP(311)B Substrate by Molecular Beam Epitaxy
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- 资助金额:
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08J03834 - 财政年份:2008
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- 批准号:
05F05610 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
水素プラズマを用いたSiC結晶の低温成長におけるSi基板のピラミッド処理効果
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- 批准号:
16656097 - 财政年份:2004
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$ 2.66万 - 项目类别:
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- 批准号:
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$ 2.66万 - 项目类别:
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通过精确控制化学反应实现高质量硅薄膜的低温生长和表征
- 批准号:
00J10208 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号:
08650023 - 财政年份:1996
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