课题基金 / 基金详情

Realization of the novel THz devices based on control of defects in dilute bismide III-V compound semiconductor superlattice

Realization of the novel THz devices based on control of defects in dilute bismide III-V compound semiconductor superlattice
基于稀双胺III-V族化合物半导体超晶格缺陷控制的新型太赫兹器件的实现
批准号：
18K14140
负责人：
Tominaga Yoriko
金额：
$2.66万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K14140/
关键词：
Bi系III-V族半導体低温成長点欠陥超格子光伝導アンテナGaAs系半導体混晶X線回折法ラザフォード後方散乱法Bi系III-V族半導体混晶

项目摘要

项目成果

Tominaga Yoriko的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(16)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
広島大学研究者総覧
广岛大学研究员名单
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Growth conditions of low-temperature-grown GaAs1-xBix/低温成長GaAs1-xBixの成長条件
低温生长 GaAs1-xBix 的生长条件/低温生长 GaAs1-xBix 的生长条件
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Kitamura, K. Horiba, M. Kobayashi, E. Sakai, M. Minohara, R. Yukawa, D. Shiga, K. Amemiya, T. Nagai, Y. Nonaka, G. Shibata, A. Fujimori, H. Fujioka, and H. Kumigashira, 堀田行紘，富永依里子，行宗詳規，藤原亮，石川史太郎]
通讯作者： 堀田行紘，富永依里子，行宗詳規，藤原亮，石川史太郎
(Late News) Solid-phase epitaxial growth of InxGa1-xAs on InP substrate
（最新消息）InxGa1-xAs在InP衬底上固相外延生长
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Yukihiro Horita, Kentaro Hirayama, Yoriko Tominaga, Hitoshi Morioka, Noriaki Ikenaga, Osamu Ueda]
通讯作者： Osamu Ueda
MBE成長条件が低温成長GaAs1-xBixのBi偏析に与える影響
MBE 生长条件对低温生长 GaAs1-xBix 中 Bi 偏析的影响
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Kitamura, K. Horiba, M. Minohara, R. Yukawa, D. Shiga, A. Toyoshima, H. Tanaka, Y. Nagatani, T. Kosuge, K. Amemiya, and H. Kumigashira, 高垣佑斗，堀田行紘，富永依里子，行宗詳規，藤原亮，石川史太郎]
通讯作者： 高垣佑斗，堀田行紘，富永依里子，行宗詳規，藤原亮，石川史太郎
共 16 条
    Elucidation and control of formation mechanism for semiconductor crystals on the basis of transfer of electrons and ions performed by bacteria
    • 批准号：
      21K18911
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      2021
    • 负责人：
      Tominaga Yoriko
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    Development of terahertz-wave emitter and detector excited by optical light source with a wavelength at optical waveband region using dilute bismuthide semiconductors
    • 批准号：
      26820114
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Tominaga Yoriko
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    海外基金