Realization of the novel THz devices based on control of defects in dilute bismide III-V compound semiconductor superlattice

基于稀双胺III-V族化合物半导体超晶格缺陷控制的新型太赫兹器件的实现

基本信息

  • 批准号:
    18K14140
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(16)
专著数量(0)
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专利数量(0)
広島大学研究者総覧
广岛大学研究员名单
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Growth conditions of low-temperature-grown GaAs1-xBix/低温成長GaAs1-xBixの成長条件
低温生长 GaAs1-xBix 的生长条件/低温生长 GaAs1-xBix 的生长条件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Kitamura;K. Horiba;M. Kobayashi;E. Sakai;M. Minohara;R. Yukawa;D. Shiga;K. Amemiya;T. Nagai;Y. Nonaka;G. Shibata;A. Fujimori;H. Fujioka;and H. Kumigashira;堀田行紘,富永依里子,行宗詳規,藤原亮,石川史太郎
  • 通讯作者:
    堀田行紘,富永依里子,行宗詳規,藤原亮,石川史太郎
(Late News) Solid-phase epitaxial growth of InxGa1-xAs on InP substrate
(最新消息)InxGa1-xAs在InP衬底上固相外延生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yukihiro Horita;Kentaro Hirayama;Yoriko Tominaga;Hitoshi Morioka;Noriaki Ikenaga;Osamu Ueda
  • 通讯作者:
    Osamu Ueda
MBE成長条件が低温成長GaAs1-xBixのBi偏析に与える影響
MBE 生长条件对低温生长 GaAs1-xBix 中 Bi 偏析的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Kitamura;K. Horiba;M. Minohara;R. Yukawa;D. Shiga;A. Toyoshima;H. Tanaka;Y. Nagatani;T. Kosuge;K. Amemiya;and H. Kumigashira;高垣佑斗,堀田行紘,富永依里子,行宗詳規,藤原亮,石川史太郎
  • 通讯作者:
    高垣佑斗,堀田行紘,富永依里子,行宗詳規,藤原亮,石川史太郎
テラヘルツ波発生検出用光伝導アンテナの開発に向けた低温成長GaAs系混晶半導体の結晶性評価
低温生长 GaAs 基混合晶体半导体的结晶度评估,用于开发用于产生和检测太赫兹波的光电导天线
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yoriko Tominaga;Yutaka Kadoya;富永依里子
  • 通讯作者:
    富永依里子
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Tominaga Yoriko其他文献

Growth of InPBi on InP(311)B Substrate by Molecular Beam Epitaxy
通过分子束外延在 InP(311)B 衬底上生长 InPBi
  • DOI:
    10.1002/pssa.202100411
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akahane Kouichi;Matsumoto Atsushi;Umezawa Toshimasa;Tominaga Yoriko;Yamamoto Naokatsu
  • 通讯作者:
    Yamamoto Naokatsu
Heme protein identified from scaly-foot gastropod can synthesize pyrite (FeS2) nanoparticles
从鳞足腹足动物中鉴定出的血红素蛋白可以合成黄铁矿(FeS2)纳米颗粒
  • DOI:
    10.1016/j.actbio.2023.03.005
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    9.7
  • 作者:
    Yamashita Tatsuya;Matsuda Hiroki;Koizumi Kyohei;Thirumalaisamy Logu;Kim Myeongok;Negishi Lumi;Kurumizaka Hitoshi;Tominaga Yoriko;Takagi Yoshihiro;Takai Ken;Okumura Taiga;Katayama Hidekazu;Horitani Masaki;Ahsan Nazmul;Okada Yoshitaka;Nagata Koji;Suzuki Yoh
  • 通讯作者:
    Suzuki Yoh

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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Elucidation and control of formation mechanism for semiconductor crystals on the basis of transfer of electrons and ions performed by bacteria
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    2021
  • 资助金额:
    $ 2.66万
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    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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    2008
  • 资助金额:
    $ 2.66万
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    19560007
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    2007
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    2006
  • 资助金额:
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    2005
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    Grant-in-Aid for Exploratory Research
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  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 2.66万
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    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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  • 批准号:
    00J10208
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    08650023
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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高频偏压溅射法低温生长铁电薄膜
  • 批准号:
    08875129
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
{{ showInfoDetail.title }}

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