课题基金 / 基金详情

Development of terahertz-wave emitter and detector excited by optical light source with a wavelength at optical waveband region using dilute bismuthide semiconductors

Development of terahertz-wave emitter and detector excited by optical light source with a wavelength at optical waveband region using dilute bismuthide semiconductors
使用稀铋化物半导体开发光波段区域波长的太赫兹波发射器和探测器
批准号：
26820114
负责人：
Tominaga Yoriko
金额：
$2.58万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26820114/
关键词：
低温成長GaAs系半導体分子線エピタキシャル成長X線回折法透過型電子顕微鏡ラザフォード後方散乱法テラヘルツ電磁波光伝導アンテナ

项目摘要

项目成果

Tominaga Yoriko的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
High-Resolution X-Ray Reciprocal Space Mapping of Low-Temperature-Grown In0.45Ga0.55As on InP substrate
InP 衬底上低温生长 In0.45Ga0.55As 的高分辨率 X 射线倒易空间测绘
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Yoriko Tominaga, Yutaka Kadoya, and Hitoshi Morioka, 富永依里子，角屋豊, Yoriko Tominaga and Yutaka Kadoya, Yoriko Tominaga and Yutaka Kadoya, Yoriko Tominaga and Yutaka Kadoya]
通讯作者： Yoriko Tominaga and Yutaka Kadoya
Growth and Annealing Temperature Dependences of Crystal Structure of Low-Temperature-grown In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As on InP Substrate
InP衬底上低温生长In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As晶体结构的生长和退火温度依赖性
DOI： 10.2472/jsms.64.696
发表时间： 2015
期刊： Journal of the Society of Materials Science, Japan
影响因子： --
作者： [富永依里子, 角屋豊]
通讯作者： 角屋豊
低温成長InGaAs内のIn原子位置の成長温度およびアニール温度両依存性
低温生长 InGaAs 中 In 原子位置对生长温度和退火温度的依赖性
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [富永依里子，角屋豊, 森岡仁, 廣瀬伸悟，富永依里子，角屋豊]
通讯作者： 廣瀬伸悟，富永依里子，角屋豊
InP基板上低温成長 In0.45Ga0.55Asの結晶構造とそのアニール温度依存性
InP衬底上低温生长的In0.45Ga0.55As晶体结构及其退火温度依赖性
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [富永依里子, 角屋豊]
通讯作者： 角屋豊
共 17 条
    Elucidation and control of formation mechanism for semiconductor crystals on the basis of transfer of electrons and ions performed by bacteria
    • 批准号：
      21K18911
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      2021
    • 负责人：
      Tominaga Yoriko
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    Realization of the novel THz devices based on control of defects in dilute bismide III-V compound semiconductor superlattice
    • 批准号：
      18K14140
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Tominaga Yoriko
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    海外基金