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Realization of large capacity non-volatile memory using layered chalcogenides pn-junction selector

Realization of large capacity non-volatile memory using layered chalcogenides pn-junction selector
使用层状硫属化物pn结选择器实现大容量非易失性存储器
批准号:
18K14306
负责人:
Saito Yuta
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2018
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2018-04-01 至 2020-03-31

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Understanding the crystalline and electronic structure of GeTe/Sb2Te3 chalcogenide superlattices
了解 GeTe/Sb2Te3 硫族化物超晶格的晶体和电子结构
DOI: --
发表时间: 2018
期刊:
影响因子: --
作者: [Yuta Saito, Alexander V. Kolobov, Paul Fons, Kirill V. Mitrofanov, Kotaro Makino, Junji Tominaga, and John Robertson]
通讯作者: and John Robertson
(Invited) Sputter Growth of Chalcogenide Superlattice Films for Future Phase Change Memory Applications
(特邀)面向未来相变存储器应用的硫族化物超晶格薄膜的溅射生长
DOI: 10.1149/08603.0049ecst
发表时间: 2018
期刊: ECS Transactions
影响因子: --
作者: [Saito Yuta, Mitrofanov Kirill V, Makino Kotaro, Miyata Noriyuki, Fons Paul, Kolobov Alexander V., Tominaga Junji]
通讯作者: Tominaga Junji
DOI: 10.1063/1.5088068
发表时间: 2019-04-01
期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子: 4
作者: [Saito, Yuta, Kolobov, Alexander V., Robertson, John]
通讯作者: Robertson, John
層状カルコゲナイドpn接合の作製とその界面および電子状態
层状硫属化物p-n结的制备及其界面和电子态
DOI: --
发表时间: 2020
期刊:
影响因子: --
作者: [齊藤雄太, Paul Fons, 牧野孝太郎, Kirill V. Mitrofanov, 上杉文彦, 竹口雅樹, Alexander V. Kolobov, 富永淳二]
通讯作者: 富永淳二
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    Basic research on the effect of postnatal IGF-1 administration on retinopathy of prematurity
    • 批准号:
      18K09459
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.66万
    • 财政年份:
      2018
    • 负责人:
      Saito Yuta
    • 依托单位:
    Fundamental study of phase change superlattice films and its application to electronic devices
    海外基金