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非平衡ポリモルフィック結晶化メカニズムの解明と電子デバイス応用
阐明非平衡多晶型结晶机理及电子器件应用
基本信息
- 批准号：23H01813
- 负责人：
- 金额：$ 12.23万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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齊藤 雄太其他文献
不揮発性相変化メモリ用遷移金属カルコゲナイド相変化材料の開発
非易失性相变存储器过渡金属硫系相变材料的研制
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
齊藤 雄太;畑山 祥吾;雙 逸;進藤 怜史;フォンス ポール;コロボフ アレクサンダー;小林 啓介;須藤 祐司 - 通讯作者：
須藤 祐司
α-MnTe/AZO積層構造を用いたpn接合ダイオードの創製
使用 α-MnTe/AZO 堆叠结构创建 p-n 结二极管
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
畑山 祥吾;シュアン イ;フォンス ポール;齊藤 雄太;コロボフ アレキサンダー;小林 啓介;進藤 怜史;安藤 大輔;須藤 祐司;須藤祐司;Shogo Hatayama and Yuji Sutou;金美賢，森竣祐，安藤大輔，須藤祐司 - 通讯作者：
金美賢，森竣祐，安藤大輔，須藤祐司
相変化材料を用いたテラヘルツ波デバイス開発
利用相变材料开发太赫兹波器件
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
牧野 孝太郎，加藤 康作;齊藤 雄太;Paul Fons;Alexander V. Kolobov;富永 淳二;中嶋 誠; 中野 隆志 - 通讯作者：
中野 隆志
テラヘルツ波デバイスに向けたＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５相変化材料の評価
太赫兹波器件用Ge2Sb2Te5相变材料的评价
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
牧野 孝太郎，加藤 康作;齊藤 雄太;Paul Fons;Alexander V. Kolobov;富永 淳二;中野 隆志;中嶋 誠 - 通讯作者：
中嶋 誠
次世代不揮発性メモリ：PCRAMの新規材料開発
下一代非易失性存储器：PCRAM新材料的开发
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
畑山 祥吾;シュアン イ;フォンス ポール;齊藤 雄太;コロボフ アレキサンダー;小林 啓介;進藤 怜史;安藤 大輔;須藤 祐司;須藤祐司 - 通讯作者：
須藤祐司
齊藤 雄太的其他文献
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{{ truncateString('齊藤 雄太', 18)}}的其他基金
非平衡ポリモルフィック結晶化メカニズムの解明と電子デバイス応用
阐明非平衡多晶型结晶机理及电子器件应用
- 批准号：
23K26506 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
多段相変化型単一合金薄膜を用いた多値記録不揮発性メモリの開発
使用多级相变型单一合金薄膜的多级记录非易失性存储器的开发
- 批准号：
10J05810 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
電子ビームを用いたアモルファスGeSnの室温・瞬間結晶化技術の確立と電気特性評価
非晶GeSn电子束室温瞬时晶化技术的建立及电性能评价
- 批准号：
23K23083 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of rapid crystallization technique of amorphous GeSn films at room temperature by electron beam and electrical characterization of the products
电子束非晶GeSn薄膜室温快速晶化技术开发及产品电学表征
- 批准号：
22H01815 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Low-temperature crystallization mechanism of amorphous SiGe alloys
非晶SiGe合金的低温结晶机理
- 批准号：
20K15049 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Structure and electronic-state of the liquid-like cluster observed during solvent evaporative crystallization process
溶剂蒸发结晶过程中观察到的液态团簇的结构和电子态
- 批准号：
19H02686 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Understanding the crystallization mechanism of amorphous van der Waals layered materials
了解非晶范德华层状材料的结晶机制
- 批准号：
19H02619 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Atomistic study of factors controlling crystallization process of metals using long-timescale modeling
使用长时标模型对控制金属结晶过程的因素进行原子研究
- 批准号：
17H04949 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
アモルファスＳｉ－Ｇｅの構造と結晶化挙動
非晶Si-Ge的结构和结晶行为
- 批准号：
17J06339 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Clarification of crystallization mechanisms through evaluating a residual amorphous state
通过评估残余非晶态澄清结晶机制
- 批准号：
16K18227 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Formation mechanism of homologous In2O3(ZnO)m superlattice thin films and their thermal/electrical properties
同系In2O3(ZnO)m超晶格薄膜的形成机制及其热/电性能
- 批准号：
16K21338 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Development of polycrystalline thin film fabrication techniques by crystallization of amorphous thin films for improvement of organic electronics device performance
通过非晶薄膜结晶开发多晶薄膜制造技术，以提高有机电子器件性能
- 批准号：
26410215 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)