Fundamental study of phase change superlattice films and its application to electronic devices

相变超晶格薄膜的基础研究及其在电子器件中的应用

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トポロジカル絶縁体カルコゲナイド薄膜のスパッタ法による高配向成膜
溅射法高定向沉积拓扑绝缘体硫系薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    齊藤雄太;富永淳二;牧野孝太郎;フォンスポール;コロボフアレクサンダー;中野隆志
  • 通讯作者:
    中野隆志
トポロジカル絶縁体超格子の電子状態に及ぼすファンデルワールス力の影響
范德华力对拓扑绝缘体超晶格电子态的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Neal Bez;Shuji Machihara;Mitsuru Sugimoto;川上洋平,石川貴悠,寒河江悠途,内藤陽太,伊藤弘毅,山本薫,薬師久弥,中村優斗,岸田英夫,佐々木孝彦,石原純夫,田中康寛,米満賢治,岩井伸一郎;齊藤雄太
  • 通讯作者:
    齊藤雄太
Electronic structure and deposition behavior of superlattice chalcogenide films
超晶格硫族化物薄膜的电子结构和沉积行为
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Saito Yuta其他文献

Improved Ordering of Quasi-Two-Dimensional MoS2 via an Amorphous-to-Crystal Transition Initiated from Amorphous Sulfur-Rich MoS2+x
通过非晶态富硫 MoS2 x 引发的非晶态到晶体转变改进准二维 MoS2 的有序性
  • DOI:
    10.1021/acs.cgd.1c01504
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.8
  • 作者:
    Krbal Milos;Prokop Vit;Prikryl Jan;Pereira Jhonatan Rodriguez;Pis Igor;Kolobov Alexander V.;Fons Paul J.;Saito Yuta;Hatayama Shogo;Sutou Yuji
  • 通讯作者:
    Sutou Yuji
(Invited) Sputter Growth of Chalcogenide Superlattice Films for Future Phase Change Memory Applications
(特邀)面向未来相变存储器应用的硫族化物超晶格薄膜的溅射生长
  • DOI:
    10.1149/08603.0049ecst
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Saito Yuta;Mitrofanov Kirill V;Makino Kotaro;Miyata Noriyuki;Fons Paul;Kolobov Alexander V.;Tominaga Junji
  • 通讯作者:
    Tominaga Junji
Recovering Texture with a Denoising-Process-Aware LMMSE Filter
使用去噪过程感知 LMMSE 滤波器恢复纹理
  • DOI:
    10.3390/signals2020019
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Saito Yuta;Miyata Takamichi
  • 通讯作者:
    Miyata Takamichi
Photo‐induced Tellurium segregation in MoTe2
MoTe2 中的光致碲偏析
多孔性金属錯体の精密設計に基づく可視光応答型光触媒の開発
基于多孔金属配合物精确设计的可见光响应光催化剂的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Saito Yuta;Fons Paul;Mitrofanov Kirill V.;Makino Kotaro;Tominaga Junji;Robertson John;Kolobov Alexander V.;堀内悠
  • 通讯作者:
    堀内悠

Saito Yuta的其他文献

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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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Basic research on the effect of postnatal IGF-1 administration on retinopathy of prematurity
产后IGF-1给药对早产儿视网膜病变影响的基础研究
  • 批准号:
    18K09459
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Realization of large capacity non-volatile memory using layered chalcogenides pn-junction selector
使用层状硫属化物pn结选择器实现大容量非易失性存储器
  • 批准号:
    18K14306
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
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相似海外基金

磁性トポロジカル絶縁体における量子異常ホール効果の抵抗標準応用
量子反常霍尔效应在磁拓扑绝缘体中的电阻标准应用
  • 批准号:
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    2024
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量子磁気トポロジカル絶縁体における電子・スピン対応
量子磁拓扑绝缘体中的电子/自旋对应
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    2024
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
トポロジカル絶縁体表面の実空間ランダウ準位分光
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    2024
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磁性トポロジカル絶縁体素子の界面制御による低消費電力動作の実現
通过磁性拓扑绝缘体元件的接口控制实现低功耗运行
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    2024
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Pb系トポロジカル絶縁体のバルク絶縁体化と転位伝導
铅基拓扑绝缘体的体绝缘和位错传导
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    2024
  • 资助金额:
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有機/無機2次元半導体接合を機軸としたトポロジカル絶縁体/超伝導ヘテロ接合の創出
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  • 批准号:
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    2023
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有機トポロジカル絶縁体の物質探索と強相関性がもたらす次元変化現象の解明
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  • 批准号:
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    2023
  • 资助金额:
    $ 1.75万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
強相関トポロジカル絶縁体における表面効果と圧力スイッチング効果
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  • 批准号:
    22KJ2630
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    2023
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
マイクロ集光光電子分光装置の開発と反強磁性トポロジカル絶縁体の電子構造の研究
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  • 批准号:
    23KJ0210
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
2次元トポロジカル絶縁体状態の観測に向けたバルク単結晶の2次元性の向上
提高块状单晶的二维性以观察二维拓扑绝缘体状态
  • 批准号:
    23KJ1124
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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