Development of laser-irradiated acceptor activation technology of GaN super junction power devices for high-efficiency power systems
Development of laser-irradiated acceptor activation technology of GaN super junction power devices for high-efficiency power systems
用于高效电力系统的GaN超级结功率器件的激光辐照受主激活技术的开发
批准号：
18K18866
负责人：
Iwata Naotaka
金额：
$4.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-06-29 至 2022-03-31
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MgドープGaN層の厚さを変えて電荷濃度を制御したp型GaN/AlGaN/GaNダイオードの耐圧特性
改变Mg掺杂GaN层厚度控制电荷浓度的p型GaN/AlGaN/GaN二极管的击穿电压特性
改变Mg掺杂GaN层厚度控制电荷浓度的p型GaN/AlGaN/GaN二极管的击穿电压特性
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[川田 宗一郎, ジャン ユーウェイ, 岩田直高]
通讯作者：
岩田直高
High breakdown voltage of p-GaN/AlGaN/GaN diode with controlled Mg acceptor charge
具有受控 Mg 受主电荷的 p-GaN/AlGaN/GaN 二极管的高击穿电压
具有受控 Mg 受主电荷的 p-GaN/AlGaN/GaN 二极管的高击穿电压
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Soichiro Kawata, Satoshi Fukutani, Yuwei Zhang, and Naotaka Iwata]
通讯作者：
and Naotaka Iwata
Controlled activation of Mg dopant by laser irradiation for p-GaN formation
通过激光照射控制镁掺杂剂的激活以形成 p-GaN
通过激光照射控制镁掺杂剂的激活以形成 p-GaN
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryuji Kamiya, Takahito Ichinose, Yuwei Zhang, Noriko Kurose, Itaru Kamiya, Yoshinobu Aoyagi, and Naotaka Iwata]
通讯作者：
and Naotaka Iwata
豊田工業大学HOME 研究・産学連携 研究室紹介 電子デバイス
丰田理工学院 HOME 产学合作实验室介绍 电子器件
丰田理工学院 HOME 产学合作实验室介绍 电子器件
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Two-step mesa p-GaN gated anode diode for low-power rectification applications
适用于低功率整流应用的两步台面 p-GaN 栅极阳极二极管
适用于低功率整流应用的两步台面 p-GaN 栅极阳极二极管
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[川田 宗一郎, ジャン ユーウェイ, 岩田直高, Yuwei Zhang and Naotaka Iwata]
通讯作者：
Yuwei Zhang and Naotaka Iwata
共 16 条