Photovoltaic conversion mechanism in intermediate band solar cells using multiple-bandgap semiconductors

使用多带隙半导体的中能带太阳能电池的光伏转换机制

基本信息

  • 批准号:
    19H02661
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(49)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
高周波マグネトロンスパッタリング法によるCu3N薄膜の膜特性に及ぼす基板温度及び基板位置の効果
基片温度和基片位置对高频磁控溅射法制备Cu3N薄膜薄膜性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大石美帆,齊藤勝彦,郭其新,田中徹
  • 通讯作者:
    大石美帆,齊藤勝彦,郭其新,田中徹
Intermediate band solar cells based on highly mismatched II-VI oxide semiconductors (Invited)
基于高度失配II-VI族氧化物半导体的中波段太阳能电池(特邀)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tooru Tanaka;Katsuhiko Saito;Qixin Guo;Kin Man Yu;and Wladek Walukiewicz
  • 通讯作者:
    and Wladek Walukiewicz
Growth and characterization of ZnCdO thin films on MgO(100) substrates by MBE.
MBE 法在 MgO(100) 基底上生长 ZnCdO 薄膜并对其进行表征。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    HyoChang Jang;Katsuhiko Saito;Qixin Guo;Tooru Tanaka
  • 通讯作者:
    Tooru Tanaka
Oxygen Concentration Dependence of Photovoltaic Properties of Intermediate Band Solar Cells based on Cl-doped ZnTeO
基于 Cl 掺杂 ZnTeO 的中能带太阳能电池光伏性能的氧浓度依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Tanaka;T. Izumi;K. Matsuo;K. Saito;Q. Guo;K. M. Yu;and W. Walukiewicz
  • 通讯作者:
    and W. Walukiewicz
The Effect of MBE alternating growth of phosphorus-doped ZnTe thin films
MBE交替生长磷掺杂ZnTe薄膜的效果
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Muhamad Mustofa;Katsuhiko Saito;Qixin Guo;Tooru Tanaka
  • 通讯作者:
    Tooru Tanaka
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Control of optical and electronic properties of high-quality multiple-band gap semiconductors for intermediate band solar cells
用于中带太阳能电池的高质量多带隙半导体的光学和电子特性的控制
  • 批准号:
    15H04253
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 11.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of highly efficient green light emitting devices using ZnMgTe/ZnTe quantum well structure
利用ZnMgTe/ZnTe量子阱结构开发高效绿光发射器件
  • 批准号:
    20760200
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 11.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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