Control of optical and electronic properties of high-quality multiple-band gap semiconductors for intermediate band solar cells
Control of optical and electronic properties of high-quality multiple-band gap semiconductors for intermediate band solar cells
批准号:
15H04253
负责人:
TANAKA Tooru
金额:
$10.48万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2019-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI:
10.1088/0268-1242/30/8/085018
发表时间:
2015-07
期刊:
Semiconductor Science and Technology
影响因子:
1.9
作者:
[M. Wełna;R. Kudrawiec;Y. Nabetani;T. Tanaka;M. Jaquez;O. Dubon;K. Yu;W. Walukiewicz]
通讯作者:
M. Wełna;R. Kudrawiec;Y. Nabetani;T. Tanaka;M. Jaquez;O. Dubon;K. Yu;W. Walukiewicz
Zn1-xCdxTe薄膜のMBE成長と太陽電池への応用
Zn1-xCdxTe薄膜的MBE生长及其在太阳能电池中的应用
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Fukuchi M, Nakashima F, Tabuchi A, Shimotori M, Tatsumi S, Okuno H, Bito H, Tsuda M, 岡野 友紀,寺沢 俊貴,田中 徹,斉藤 勝彦,郭 其新,西尾 光弘]
通讯作者:
岡野 友紀,寺沢 俊貴,田中 徹,斉藤 勝彦,郭 其新,西尾 光弘
Intermediate band solar cells based on II-VI dilute oxide semiconductors (invited)
基于II-VI稀氧化物半导体的中波段太阳能电池(特邀)
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yamada Rei, Kuba Hiroshi, Tooru Tanaka]
通讯作者:
Tooru Tanaka
FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF CUSBSE2 THIN FILMS BY SELENIZATION OF METAL PRECURSORS
金属前驱体硒化制备 CUSBSE2 薄膜并表征
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Shunichi Tsuji, Yusuke Kato, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo]
通讯作者:
Qixin Guo
Growth and characterization of ZnCdO thin films by molecular beam epitaxy on MgO substrates for transparent conductive oxides
透明导电氧化物 MgO 基底上分子束外延 ZnCdO 薄膜的生长和表征
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[HyoChang Jang, Syohei Ushio, Shuji Tsutsumi, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo]
通讯作者:
Qixin Guo
共 61 条
Photovoltaic conversion mechanism in intermediate band solar cells using multiple-bandgap semiconductors
-
批准号:19H02661
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额:$11.15万
-
财政年份:2019
-
负责人:TANAKA Tooru
-
依托单位:
Development of highly efficient green light emitting devices using ZnMgTe/ZnTe quantum well structure
-
批准号:20760200
-
项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额:$2.66万
-
财政年份:2008
-
负责人:TANAKA Tooru
-
依托单位: