Mechanistic study of interface electronic states in 2D electron devices and improvement of the device performances
二维电子器件界面电子态机理研究及器件性能提升
基本信息
- 批准号:19H02590
- 负责人:
- 金额:$ 11.48万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
SiCをプラットフォームとしたBeyond 5Gデバイスの創出とデバイス物理の探求
使用SiC作为平台创建Beyond 5G设备并探索设备物理
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Omika Keiichi;Takahashi Kensuke;Yasui Akira;Ohkochi Takuo;Osawa Hitoshi;Kouchi Tsuyoshi;Tateno Yasunori;Suemitsu Maki;Fukidome Hirokazu;吹留博一
- 通讯作者:吹留博一
High Speed Terahertz Detection by an Asymmetric Dual-Grating-Gate Graphene FET
通过非对称双栅石墨烯 FET 进行高速太赫兹检测
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Tamura;D. Ogiura;K. Suwa;H. Fukidome;A. Satou;Y. Takida;H. Minamide;and T. Otsuji
- 通讯作者:and T. Otsuji
A graphene-based magnetoplasmonic metasurface for actively tunable transmission and polarization rotation at terahertz frequencies
- DOI:10.1063/5.0006448
- 发表时间:2020-06
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:P. Padmanabhan;S. Boubanga-Tombet;H. Fukidome;T. Otsuji;R. Prasankumar
- 通讯作者:P. Padmanabhan;S. Boubanga-Tombet;H. Fukidome;T. Otsuji;R. Prasankumar
Direct Formation of Solution-based Al2O3 on Epitaxial Graphene Surface for Sensor Applications
在外延石墨烯表面直接形成基于溶液的 Al2O3,用于传感器应用
- DOI:10.18494/sam.2019.2317
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:1.2
- 作者:K.S. Kim;H. Fukidome;and M. Suemitsu
- 通讯作者:and M. Suemitsu
Modulation of Electronic States near Electrodes in Graphene Transistors Observed by Operando Photoelectron Nanospectroscopy
通过 Operando 光电子纳米光谱观察到石墨烯晶体管电极附近电子态的调制
- DOI:10.18494/sam.2019.2327
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:1.2
- 作者:H. Fukidome;K. Funakubo;N. Nagamura;K. Horiba;Y. Tateno;M. Oshima;and M. Suemitsu
- 通讯作者:and M. Suemitsu
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Fukidome Hirokazu其他文献
Skyrmion lattice in f-electron magnet EuPtSi
f 电子磁体 EuPtSi 中的斯格明子晶格
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
Omika Keiichi;Tateno Yasunori;Kouchi Tsuyoshi;Komatani Tsutomu;Yaegassi Seiji;Yui Keiichi;Nakata Ken;Nagamura Naoka;Kotsugi Masato;Horiba Koji;Oshima Masaharu;Suemitsu Maki;Fukidome Hirokazu;K. Kaneko - 通讯作者:
K. Kaneko
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- 资助金额:
$ 11.48万 - 项目类别:
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开发高灵敏度电子自旋共振方法并利用该方法分析nanoMOS晶体管中的RTN缺陷
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- 资助金额:
$ 11.48万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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$ 11.48万 - 项目类别:
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- 批准号:
23K26167 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.48万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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$ 11.48万 - 项目类别:
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- 批准号:
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- 资助金额:
$ 11.48万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows