Growth of high quality graphene using wafer bonding and high-frequency devices based on a new principle
Growth of high quality graphene using wafer bonding and high-frequency devices based on a new principle
基于新原理使用晶圆键合和高频设备生长高质量石墨烯
批准号：
15K13353
负责人：
Fukidome Hirokazu
金额：
$2.33万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
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二次元原子薄膜は使えるのか？
可以使用二维原子薄膜吗？
可以使用二维原子薄膜吗？
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Fujimaki T, Saito S, Imoto M., 吹留博一]
通讯作者：
吹留博一
半導体装置
半导体设备
半导体设备
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
SiC構造体およびその製造方法ならびに半導体装置
SiC结构及其制造方法和半导体器件
SiC结构及其制造方法和半导体器件
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Zhou Y., Tanaka T., Sugiyama N., Yokoyama S., Kawasaki Y., Sakuma T., Ishihama Y., Saiki I., and Sakurai H., Novia Budi Parwanto and Tatsuo Oyama, 日本表面科学会編]
通讯作者：
日本表面科学会編
グラフェントランジスタおよびその製造方法
石墨烯晶体管及其制造方法
石墨烯晶体管及其制造方法
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 9 条
Mechanistic study of interface electronic states in 2D electron devices and improvement of the device performances
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批准号：19H02590
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.48万
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财政年份：2019
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负责人：Fukidome Hirokazu
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依托单位：
Ambient time-resolved x-ray spectroscopy to directly prove quantum effects on biological reactions
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批准号：18K19011
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$3.99万
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财政年份：2018
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负责人：Fukidome Hirokazu
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依托单位：
Operando spectromicroscopy that bridges the gap betwenn material properties and device performances of 2D materials
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批准号：15H03560
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.82万
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财政年份：2015
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负责人：Fukidome Hirokazu
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依托单位：
海外基金