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Growth of high quality graphene using wafer bonding and high-frequency devices based on a new principle

基于新原理使用晶圆键合和高频设备生长高质量石墨烯

基本信息

批准号：
15K13353
负责人：
Fukidome Hirokazu
金额：
$ 2.33万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

二次元原子薄膜は使えるのか？

可以使用二维原子薄膜吗？

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Fujimaki T;Saito S;Imoto M.;吹留博一
通讯作者：
吹留博一

半導体装置

半导体设备

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

SiC構造体およびその製造方法ならびに半導体装置

SiC结构及其制造方法和半导体器件

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

すごいぞ！身のまわりの表面科学　ツルツル、ピカピカ、ザラザラの不思議

太棒了！

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhou Y.;Tanaka T.;Sugiyama N.;Yokoyama S.;Kawasaki Y.;Sakuma T.;Ishihama Y.;Saiki I.;and Sakurai H.;Novia Budi Parwanto and Tatsuo Oyama;日本表面科学会編
通讯作者：
日本表面科学会編

グラフェントランジスタおよびその製造方法

石墨烯晶体管及其制造方法

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

DOI：
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作者：
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作者：
Omika Keiichi;Takahashi Kensuke;Yasui Akira;Ohkochi Takuo;Osawa Hitoshi;Kouchi Tsuyoshi;Tateno Yasunori;Suemitsu Maki;Fukidome Hirokazu;吹留博一
通讯作者：
吹留博一

Dynamics of surface electron trapping of a GaN-based transistors revealed by spatiotemporally resolved x-ray spectroscopy

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10.1063/5.0020500
发表时间：
2020
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Omika Keiichi;Takahashi Kensuke;Yasui Akira;Ohkochi Takuo;Osawa Hitoshi;Kouchi Tsuyoshi;Tateno Yasunori;Suemitsu Maki;Fukidome Hirokazu
通讯作者：
Fukidome Hirokazu

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DOI：
发表时间：
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影响因子：
0
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栅极可调石墨烯横向隧道二极管的电传输特性

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影响因子：
1.5
作者：
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二次元材料成膜・形成および機能発現評価の課題

二维材料沉积/形成和功能表达评估的问题

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Omika Keiichi;Takahashi Kensuke;Yasui Akira;Ohkochi Takuo;Osawa Hitoshi;Kouchi Tsuyoshi;Tateno Yasunori;Suemitsu Maki;Fukidome Hirokazu;吹留博一;吹留博一
通讯作者：
吹留博一