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Control of metal-insulator transition of Ti2O3 films by epitaxial strain

Control of metal-insulator transition of Ti2O3 films by epitaxial strain
外延应变控制Ti2O3薄膜的金属-绝缘体转变
批准号：
19H02588
负责人：
Yoshimatsu Kohei
金额：
$11.32万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02588/
关键词：
Ti2O3金属絶縁体転移薄膜パルスレーザ堆積法強相関酸化物遷移金属酸化物酸化チタン相転移デバイス酸化チタン薄膜電子分光酸化物薄膜

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Optical and structural investigations on titanium oxynitride films for visible-UV photocatalytic applications
DOI： 10.1063/1.5143609
发表时间： 2020-04-07
期刊： JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 3.2
作者： [Mizushiro, Jun, Yoshimatsu, Kohei, Ohtomo, Akira]
通讯作者： Ohtomo, Akira
Temperature evolution of magnetic phases near the thickness-dependent metal-insulator transition in La1－xSrxMnO3 thin films observed by XMCD
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DOI： --
发表时间： 2020
期刊： J. Phys. Conf. Proc.
影响因子： --
作者： [G. Shibata, K. Yoshimatsu, E. Sakai, K. Ishigami, S. Sakamoto, Y. Nonaka, F. -H. Chang, H. -J. Lin, D. -J. Huang, C. -T. Chen, H. Kumigashira, and A. Fujimori]
通讯作者： and A. Fujimori
Heavy-fermion metallic state and Mott transition induced by Li-ion intercalation in LiV2O4 epitaxial films
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DOI： 10.1103/physrevb.104.245104
发表时间： 2021
期刊： Physical Review B
影响因子： 3.7
作者： [Yajima Tatsuya, Soma Takuto, Yoshimatsu Kohei, Kurita Nobuyuki, Watanabe Masari, Ohtomo Akira]
通讯作者： Ohtomo Akira
Metal-insulator transition of corundum-type Ti2O3 films
刚玉型Ti2O3薄膜的金属-绝缘体转变
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Atsushi Taninaka, Shunta Ugajin, Hiromi Kurokawa, Yu Nagoshi, Mayuka Kamiyanagi, Hirofumi Matsui, Osamu Takeuchi, and Hidemi Shigekawa, K. Yoshimatsu]
通讯作者： K. Yoshimatsu
共 15 条
    Development of inexpensive Hall effects measurement system using two-AC method
    • 批准号：
      20K20887
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Yoshimatsu Kohei
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Complex structures and electronic phases in simple-oxide thin films
    海外基金