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Novel magnetic tunneling junction devices with layer number-controlled hexagonal boron nitride sheets

Novel magnetic tunneling junction devices with layer number-controlled hexagonal boron nitride sheets
层数可控六方氮化硼片新型磁隧道结器件
批准号:
23K17863
负责人:
吾郷 浩樹
金额:
$4.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份:
2023
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2023-06-30 至 2025-03-31

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次世代半導体を目指した二次元物質の成長機構の学理と集積化技術の開発
  • 批准号:
    24H00407
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额:
    $30.62万
  • 财政年份:
    2024
  • 负责人:
    吾郷 浩樹
  • 依托单位:
次元性を超えたナノカーボン材料の制御合成と応用研究
  • 批准号:
    18F18055
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.54万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    吾郷 浩樹
  • 依托单位:
半導体デバイス応用を目指したグラフェンナノリボンの創製
  • 批准号:
    13F03352
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.47万
  • 财政年份:
    2013
  • 负责人:
    吾郷 浩樹
  • 依托单位:
シリコンデバイスとの融合を可能にする水平配向カーボンナノチューブの創製
  • 批准号:
    21310074
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $12.06万
  • 财政年份:
    2009
  • 负责人:
    吾郷 浩樹
  • 依托单位:
海外基金